非易失性铁电存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation最近宣布扩展其非易失性状态保存器系列,推出4位状态保存器,以4位F-RAM技术为基础,无需耗电即可保存逻辑状态,并在上电时自动恢复输出。任何状态改变均会自动记录在非易失性的铁电锁存内,这是因为F-RAM存储器技术具备独特的高速写入能力和低功耗特性,以及极高的耐用性。
FM111x 4位状态保存器目前有三款产品:即工作电压为5V的FM1110;以及工作电压为3
非易失性铁电随机存取存储器(FRAM)和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣布推出半导体行业首款非易失性状态保持器,这种器件可按要求保存信号状态,并在上电时自动恢复到正确状态。FRAM独特的高速写入能力和几乎无限次的读写寿命保证了这种功能。
Ramtron新推出的低功耗非易失性状态保持器系列目前有两款产品:FM1105和FM1106,工作电压分别为5V与3V。两款器件都采用小型SOT23封装。而该系列的其它产品已在规划中。