保护环（GR）对直流（DC）和高频的影响亚微米金属氧化物半导体场效应晶体管的性能（MOSFETs）在这项研究中进行了研究。 制作了具有四种不同GR的MOSFET 使用90 nm互补金属氧化物半导体（CMOS）Craft.io，并进行了详细他们的设备性能进行了比较研究。 统一的直流和小信号开发了考虑GR影响的等效电路模型。 一套简单但有效的方法公式为S参数之间的转换提供了双向桥梁具有不同GR的设备。 不同型号MOSFET的相应模型参数GR是由高达40 GHz的S参数晶圆上测量确定的。