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  1. 布线规则.txt

  2. 3 1. 一般规则 1.1 PCB板上预划分数字、模拟、DAA信号布线区域。 1.2 数字、模拟元器件及相应走线尽量分开并放置於各自的布线区域内。 1.3 高速数字信号走线尽量短。 1.4 敏感模拟信号走线尽量短。 1.5 合理分配电源和地。 1.6 DGND、AGND、实地分开。 1.7 电源及临界信号走线使用宽线。 1.8 数字电路放置於并行总线/串行DTE接口附近，DAA电路放置於电话线接口附近。 2. 元器件放置 2.1 在系统电路原理图中： a) 划分数字、模拟、DAA电路及其相关电

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2019-05-23
    • 文件大小：14336
    • 提供者：qq_33237941

  1. 德力西产品说明.pdf

  2. 德力西产品说明pdf,前   言   感谢您选用德力西（杭州）变频器有限公司生产的CDI 9600系列小功率矢量变频器。 在使用CDI9600系列小功率矢量变频器之前,请您仔细阅读本手册，以保证正确使用。不正确的使用可能会造成变频器运行不正常、发生故障或降低使用寿命，乃至发生人身伤害事故。因此使用前应认真阅读本说明书，严格按说明使用。本手册为标准附件，务必请您阅读后妥善保管，以备今后对变频器进行检修和维护时使用。 本手册除叙述操作说明外，还提供接线图供您参考。如果您对本产品的使用存在疑难或有特

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-10-10
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38744153

  1. 模拟电路和数字电路笔试知识和面试知识.pdf

  2. 每次面试都被问到模电和数电，因此想给大家分享一份关于模拟电子技术的面试题，希望有所帮助电流放大就是只考虑输出电流于输入电流的关系。比如说,对于一个uA级的信号,就需要放大后才能驱动 些仪器进行识别(如生物电子),就需要做电流放大。 功率放大就是老虑输出功率和输入功率的关系。 其实实际上,对于任何以上放大,最后电路中都还是有电压,电流,功率放大的指标在,叫什么放大,只 是重点突出电路的作用而已 15.推挽结构的实质是什么? 般是指两个三极管分别受两互补信号的控制,总是在一个三极管导通的时候另一个截

  3. 所属分类：讲义

    • 发布日期：2019-08-18
    • 文件大小：628736
    • 提供者：maosheng007

  1. 如何切实有效地保护CMOS电路不受电源过压影响

  2. 所有的IC工艺都存在相关的本征击穿电压，由此导致的最大电压应力将会施加于采用该工艺制造的任何器件。因此，所有IC制造商都会提供其器件产品的绝对最大额定值技术规格，一般是提供施加于器件任何引脚的最大电压。器件过压指超过绝对最大额定值的应力或电压施加于该器件。本文讨论了CMOS和线性兼容CMOS器件的电源输入过压问题。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2013-12-30
    • 文件大小：301056
    • 提供者：u013326548

  1. 保护CMOS电路不受电源过压影响

  2. 如何切实有效地保护CMOS电路不受电源过压影响

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2013-12-30
    • 文件大小：301056
    • 提供者：u013326548

  1. 模拟技术中的如何切实有效地保护CMOS电路不受电源过压影响

  2. 简介 　　所有的IC工艺都存在相关的本征击穿电压，由此导致的最大电压应力将会施加于采用该工艺制造的任何器件。因此，所有IC制造商都会提供其器件产品的绝对最大额定值技术规格，一般是提供施加于器件任何引脚的最大电压。 　　器件过压指超过绝对最大额定值的应力或电压施加于该器件。本应用笔记重点讨论CMOS和线性兼容CMOS器件的电源输入过压问题。 　　与IC工艺相关的本征击穿电压，就是指该工艺中的晶体管、嵌入式齐纳二极管或其他此类元件会有一个确定的击穿电压。显然，如果器件的正电源输入(VDD)和负

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-04
    • 文件大小：221184
    • 提供者：weixin_38576392

  1. 如何切实有效地保护CMOS电路不受电源过压影响

  2. 简介 　　所有的IC工艺都存在相关的本征击穿电压，由此导致的电压应力将会施加于采用该工艺制造的任何器件。因此，所有IC制造商都会提供其器件产品的额定值技术规格，一般是提供施加于器件任何引脚的电压。 　　器件过压指超过额定值的应力或电压施加于该器件。本应用笔记重点讨论CMOS和线性兼容CMOS器件的电源输入过压问题。 　　与IC工艺相关的本征击穿电压，就是指该工艺中的晶体管、嵌入式齐纳二极管或其他此类元件会有一个确定的击穿电压。显然，如果器件的正电源输入(VDD)和负电源输入(VSS)之间仅

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：306176
    • 提供者：weixin_38663029