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  1. 元器件应用中的三极管基础知识及检测方法

  2. 三极管基础知识及检测方法 一、晶体管基础   双极结型三极管相当于两个背靠背的二极管 PN 结。正向偏置的 EB 结有空穴从发射极注入基区,其中大部分空穴能够到达集电结的边界,并在反向偏置的 CB 结势垒电场的作用下到达集电区,形成集电极电流 IC 。在共发射极晶体管电路中 , 发射结在基极电路中正向偏置 , 其电压降很小。绝大部分 的集电极和发射极之间的外加偏压都加在反向偏置的集电结上。由于 VBE 很小,所以基极电流约为 IB= 5V/50 k Ω = 0.1mA 。  如果晶体管的共发射极
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-12-09
    • 文件大小:69632
    • 提供者:weixin_38550334