由于现在经济的快速发展，能源的消耗也是急剧增加，我们如何去减少能源的损耗做到节能减排？这就要求我们的产品有一个更高的效率，更低的成本。而对于一个高性能的系统来说，半导体器件的选择尤为重要。今天我给大家介绍的就是英飞凌一个新的逆向导通型IGBT。我们知道传统的IGBT，二极管和IGBT是分开的两个晶圆，而这一款新的逆向导通型IGBT是将二极管和IGBT集成在同一个晶圆上面，它们有相同的电流等级。新的逆向导通型IGBT引用了哪些技术呢？首先的话，它引入了场终止技术，也就是它大大的减小了晶圆的厚度，使