您好,欢迎光临本网站![请登录][注册会员]  

搜索资源列表

  1. 元器件应用中的光敏达林顿三极管型光电耦合器主要特性参数

  2. 该光电耦合器采用发光二极管与光敏三极管组,达林顿型输出,具有传输比(CTR)高的特点,其外形如图所示,主要特性参数见表。                                                            表:光敏达林顿三极管型光电耦合器主要特性参数   
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-22
    • 文件大小:54272
    • 提供者:weixin_38628920
  1. 元器件应用中的光敏达林顿三极管型光电耦合器

  2. 该光电耦合器采用发光二极管与光敏三极管组,达林顿型输出,具有传输比(CTR)高的特点,其外形如图所示,主要特性参数见表。 图:光敏达林顿三极管型光电耦合器的外形及电路  
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-22
    • 文件大小:35840
    • 提供者:weixin_38558660
  1. 元器件应用中的光敏三极管型光电耦合器主要特性参数

  2. 表:光敏三极管型光电耦合器主要特性参数  
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-22
    • 文件大小:62464
    • 提供者:weixin_38625048
  1. 元器件应用中的光敏二极管型光电耦合器主要特性参数

  2. 表:光敏二极管型光电藕合器主要特性参数   注:表中IR为发光二极管的反向漏电流;VBM为光敏三极管最菏反向工作电压;VBR(VCEO)为光敏三极管集电极与发射极击穿电压。  
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-22
    • 文件大小:72704
    • 提供者:weixin_38499503