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  1. 元器件应用中的光敏达林顿三极管型光电耦合器主要特性参数

  2. 该光电耦合器采用发光二极管与光敏三极管组，达林顿型输出，具有传输比(CTR)高的特点，其外形如图所示，主要特性参数见表。                                                            表：光敏达林顿三极管型光电耦合器主要特性参数   

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-22
    • 文件大小：54272
    • 提供者：weixin_38628920

  1. 元器件应用中的光敏达林顿三极管型光电耦合器

  2. 该光电耦合器采用发光二极管与光敏三极管组，达林顿型输出，具有传输比(CTR)高的特点，其外形如图所示，主要特性参数见表。 图：光敏达林顿三极管型光电耦合器的外形及电路  

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-22
    • 文件大小：35840
    • 提供者：weixin_38558660

  1. 元器件应用中的光敏三极管型光电耦合器主要特性参数

  2. 表:光敏三极管型光电耦合器主要特性参数  

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-22
    • 文件大小：62464
    • 提供者：weixin_38625048

  1. 元器件应用中的光敏二极管型光电耦合器主要特性参数

  2. 表:光敏二极管型光电藕合器主要特性参数 　　注:表中IR为发光二极管的反向漏电流;VBM为光敏三极管最菏反向工作电压;VBR(VCEO)为光敏三极管集电极与发射极击穿电压。  

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-22
    • 文件大小：72704
    • 提供者：weixin_38499503