0 引 言 　　绝缘栅双极型晶体管(IGBT)是GTR和MOSFET的一种新型复合器件，自问世以来就以输入阻抗高，开关速度快，通态压降低，阻断电压高，承受电流大等优点成为当今功率半导体器件中的主流开关器件，并广泛应用于多领域的工程实践当中。目前，IGBT的导通延迟时间可以达到几百纳秒，甚至更低。但在某些对器件时间特性要求较高的工程应用中，需要更精确地确定IGBT的导通延迟时间。因而高精度的测量时间间隔是测量领域一直关注的问题。本文从精简结构，同时兼顾精度的角度出发，提出一种基于时间测量芯片TD