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  1. VHDL&VerilogHDL简明教程.

  2. 在本章开始我们了解一下什么是硬件描述语言以及数字系统设计中的一些基本概念。在 设计中，FPGA、CPLD 等可编程器件得到了越来越多的应用，其一是因为这些器件可以在其 中实现许多分立元器件实现的功能，这样就缩小了电路板的面积；其二，这些器件的可编程 使得设计可以随时变更，而不需要重新布线制板。当我们的设计验证通过之后，如果需要大 批量生产时候，我们可以把可编程器件中的设计交给半导体厂商进行流片，这样可以大大降 低生产成本，如果设计的芯片有较好的通用性，我们还可以去出售自己设计的芯片了。EDA

  3. 所属分类：嵌入式

    • 发布日期：2009-08-06
    • 文件大小：830464
    • 提供者：lpyzckl

  1. 单片机应用技术选编（7）

  2. 内容简介 　　 《单片机应用技术选编》(7) 选编了1998年国内50种科技期刊中有关单片机开发应用的文 章共510篇，其中全文编入的有113篇，摘要编入的397篇。全书共分八章，即单片机综合 应用技术；智能仪表与测试技术；网络、通信与数据传输；可靠性与抗干扰技术；控制系统 与功率接口技术；电源技术；实用设计；文章摘要。 　　 本书具有重要实用价值，书中介绍的新技术、新器件以及单片机应用系统的软、硬件资 料有助于减少产品研制过程中的重复性劳动，提高单片机应用技术水平，是从事单片机应用 开发技

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2010-05-19
    • 文件大小：13631488
    • 提供者：zgraeae

  1. msp430书稿开发板

  2. 第一章 超低功耗单片MSP430B - 11 - 1.1 单片机概述 - 11 - 1.1.1 MSP430系列单片机的特点 - 11 - 1.1.2 MSP430操作简介 - 11 - 1.1.3 MSP430系列单片机在系统中的应用 - 12 - 1.2 片内主要模块介绍 - 12 - 1.2.1时钟模块 - 13 - 1.2.1.1 MSP430F449的三个时钟源可以提供四种时钟信号 - 13 - 1.2.1.2 MSP430F449时钟模块寄存器 - 14 - 1.2.1.3 FLL

  3. 所属分类：电信

    • 发布日期：2011-03-17
    • 文件大小：12582912
    • 提供者：lantingele

  1. VHDL & Verilog HDL 简明教程

  2. 我们了解一下什么是硬件描述语言以及数字系统设计中的一些基本概念。在 设计中，FPGA、CPLD 等可编程器件得到了越来越多的应用，其一是因为这些器件可以在其 中实现许多分立元器件实现的功能，这样就缩小了电路板的面积；其二，这些器件的可编程 使得设计可以随时变更，而不需要重新布线制板。当我们的设计验证通过之后，如果需要大 批量生产时候，我们可以把可编程器件中的设计交给半导体厂商进行流片，这样可以大大降 低生产成本，如果设计的芯片有较好的通用性，我们还可以去出售自己设计的芯片了。EDA （Elec

  3. 所属分类：嵌入式

    • 发布日期：2011-08-10
    • 文件大小：276480
    • 提供者：yiweiguo

  1. 二极管及其基本电路.pptx

  2. 二极管是用半导体材料(硅、硒、锗等)制成的一种电子器件 [1] 。它具有单向导电性能， 即给二极管阳极和阴极加上正向电压时，二极管导通。 当给阳极和阴极加上反向电压时，二极管截止。 因此，二极管的导通和截止，则相当于开关的接通与断开 [2] 。 二极管是最早诞生的半导体器件之一，其应用非常广泛。特别是在各种电子电路中，利用二极管和电阻、电容、电感等元器件进行合理的连接，构成不同功能的电路，可以实现对交流电整流、对调制信号检波、限幅和钳位以及对电源电压的稳压等多种功能 [3] 。无论是在常见

  3. 所属分类：嵌入式

    • 发布日期：2020-05-14
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：weixin_44370808

  1. 13001和13003管脚图 浅谈三极管的原理及应用

  2. 本文主要是关于13001和13003的相关介绍，并着重对13001和13003的管脚进行了详尽的阐述。 三极管 三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。三极管是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。 工

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-12
    • 文件大小：110592
    • 提供者：weixin_38722721

  1. 元器件应用中的压敏电阻在灯具电子线路中的应用

  2. 摘要：论述压敏电阻在灯具线路中抑制脉冲电压、吸收浪涌电压、防雷击、过压保护、稳压、削波、限幅、减弧、吸收电能等实际作用, 给出最佳使用条件及线路中的运用。 　　众所周知, 晶体管是单晶半导体器件, 而压敏电阻是有空架晶格的多晶半导体, 随着所加电压, 晶格发生变化, 其电阻值也随着发生巨大变化的敏感器件类的电子元件, 如烧结成的SiC、ZnO2等, 其特点是它的内部电阻对外加电压非常敏感和迅速, 当所加入的电压在标称额定值内, 它的电阻几乎无穷大, 而所加的电压稍微高于额定值后, 电阻值迅速下

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-21
    • 文件大小：212992
    • 提供者：weixin_38746166

  1. 元器件应用中的基于Multisim的三极管放大电路仿真分析

  2. 摘要：为了帮助学生对电子电路的本质有更直观的认识，在模拟电子电路的教学中引入了Multisim 10仿真软件。实验利用该软件对三极管单级放大电路进行仿真分析，结果表明，电路元件参数的改变直接影响电路的静态工作点，动态输出也因此产生变化。该实验揭示了静态工作点的重要性，与理论分析的结果一致。利用仿真软件分析电子电路，结果形象直观，既起到辅助课堂教学的作用，也激发了学生对电子电路的学习兴趣。 　　0 引言 　　放大电路是构成各种功能模拟电路的基本电路，能实现对模拟信号最基本的处理--放大，因此掌

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-20
    • 文件大小：280576
    • 提供者：weixin_38521831

  1. 元器件应用中的入门分享：三极管知识大全

  2. 导读：三极管也即半导体三极管或晶体三极管，是一种最重要的半导体器件。它的放大作用和开关作用促使电子技术飞跃发展。本文主要分享了三极管的基本知识，有助你更深入的了解有关电子元器件方面的知识。 　　一、三极管的概念 　　三极管顾名思义具有三个电极。二极管是由一个PN结构成的，而三极管由两个PN结构成，共用的一个电极成为三极管的基极（用字母b表示）。其他的两个电极成为集电极（用字母c表示）和发射极（用字母e表示）。由于不同的组合方式，形成了一种是NPN型的三极管，另一种是PNP型的三极管。，是一种

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-20
    • 文件大小：152576
    • 提供者：weixin_38710127

  1. 元器件应用中的什么是肖特基二极管

  2. 基本原理是：在金属（例如铅）和半导体（N型硅片）的接触面上，用已形成的肖特基来阻挡反向电压。肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异。其耐压程度只有40V左右。其特长是：开关速度非常快：反向恢复时间特别地短。因此，能制作开关二极和低压大电流整流二极管。 　　肖特基二极管(Schottky Barrier Diode) 它是具有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除钨材料外，还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓，多为型半导体。这种器件是由多

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-18
    • 文件大小：53248
    • 提供者：weixin_38691199

  1. 元器件应用中的晶体管CMOS的基本知识

  2. 目前使用最最广泛的晶体管是ＣＭＯＳ晶体管，ＣＭＯＳ晶体管特点是什么？首先ＣＭＯＳ晶体管功耗和抗干扰能力优于同时期的ＴＴＬ器件，而且速度和ＴＴＬ器件相当，所以ＣＭＯＳ取代ＴＴＬ是大势所趋，我们看到目前集成电路上的晶体管还有几乎所有ＰＬＤ器件都是采用ＣＭＯＳ技术，这一点就说明了ＣＭＯＳ的大行其道。 　　金属－氧化物－半导体（Ｍｅｔａｌ－Ｏｘｉｄｅ－Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）结构的晶体管简称ＭＯＳ晶体管，有Ｐ型ＭＯＳ管和Ｎ型ＭＯＳ管之分。由　ＭＯＳ管构成的集成电路称为ＭＯＳ集成电路，而由ＰＭＯＳ管

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-18
    • 文件大小：54272
    • 提供者：weixin_38631197

  1. 元器件应用中的集成硅基光发射概念器

  2. 与以往的砷化镓（GaAs）和磷化铟（InP）等化合物材料的分立元件集成芯片不同，与标准微电子工艺兼容的硅基光电子集成回路需要在硅衬底上实现光发射器、光波导/调制器、光电探测器及驱动电路和接收器电路的单片集成。其中，硅基光发射器件与驱动电路的单片集成是一项关键的研究内容，涉及工艺选择、集成技术、工作机理、器件可靠性等各方面的工作。同时，还需要考虑同光波导的耦合技术与工艺，考虑同光波导、接收器等各部分实现单片集成的技术与工艺等多方面的问题。 　　一个基本的硅基发射器包括一个光发射器件及其驱动电路。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-14
    • 文件大小：53248
    • 提供者：weixin_38548434

  1. 元器件应用中的美国生产的半导体器件型号命名

  2. 美国生产的半导体器件型号原来都是由厂家自己命名的，所以十分混乱。比较统一的是按美国电子工业协会(EIA)的半导体分立器件型号命名方法规定命名的产品。这些半导体器件的命名方法由五部分组成，第一部分为前缀，第五部分为后缀，中间三部分为型号的基本部分。这五部分的符号及含义见表。　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　表:美国半导体器件型号命名方法   

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-23
    • 文件大小：88064
    • 提供者：weixin_38635092

  1. 元器件应用中的欧洲生产的半导体器件型号的命名

  2. 德国、法国、意大利、荷兰等参加欧洲共同市场的国家和一些东欧国家如匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等国生产的半导体器件大都使用国际电子联合会的标准半导体分立器件型号命名方法对半导体器件型号命名。这种命名法由四个基本部分组成，其含义见表。                                                                    表:欧洲半导体器件型号命名方法 　　注:电子伏特是在电子技术中常用的一种能量单位。一个电子伏特等于l.602x(10的负十次方)

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-23
    • 文件大小：178176
    • 提供者：weixin_38680811

  1. 元器件应用中的日本半导体器件型号的命名

  2. 日本生产的半导体器件型号，均按日本工业标准JIS一C一7012规定的日本半导体分立器件型号命名方法命名。　　日本晶体管型号命名由五个基本部分组成其符号及其含义见表。                                                                               表:日本半导体器件型号命名方法   

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-23
    • 文件大小：126976
    • 提供者：weixin_38718690

  1. 元器件应用中的单向晶闸管的基本结构及工作原理

  2. 晶闸管有许多种类，下面以常用的普通晶闸管为例，介绍其基本结构及工作原理。　　单向晶闸管内有三个PN结，它们是由相互交叠的4层P区和N区所构成的，如图(a)所示。晶闸管的三个电极是从P1引出阳极A，从N2引出阳极K，从P2引出控制极G，因此可以说它是一个四层三端半导体器件。　　为了便于说明，可以把图(a)所示晶闸臂看成是由两部分组成的[见图(b)]，这样可以把晶闸管等效为两只三极管组成的一对互补管，左下部分为NPN型管，右上部分为PNP型管[见图(c)]。 　　单向晶闸管结构原理图 　　当

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-23
    • 文件大小：126976
    • 提供者：weixin_38685857

  1. 元器件应用中的集成基准电压源使用注意事项

  2. ①安装集成基准电压源时，要尽量远离功率元件，如变压器、电热元件、大功率半导体器件以及大功率电阻等，这样更有利于发挥该器件的温度稳定特性。　　②输出负载电流不可大于规定的输出电流值，否则会影响输出基准电压的稳定性。当需要负载电流大于规定的输出电流值时，应加装外围元件进行扩流。　　③器件的接地引线不宜过长，以免引入不必要的噪声电压。　　④输入的电压应是基本稳定的，而且是经过良好滤波的直流电压。这种直流电压尽管稳定性不好，但可阻止来自电网的噪声干扰，这对保证基准电压的精度是十分必在的。  

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-22
    • 文件大小：31744
    • 提供者：weixin_38603936

  1. 元器件应用中的高压变频器的选型注意事项

  2. 1.选择过高电压等级的弊端  　　选择过高的电压等级造成投资过高，回收期长。电压等级的提高，电机的绝缘必须提高，使电机价格增加。电压等级的提高，使变频器中电力半导体器件的串联数量加大，成本上升。 　　可见，对于200～2000kW的电机系统采用6kV、10kV电压等级是极不经济、很不合理的。  　　2.变频器容量与整流装置相数关系  　　变频器装置投入6kV电网必须符合国家有关谐波抑制的规定。这和电网容量和装置的额定功率有关。  　　短路容量在1000MVA以内，1000kW

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-22
    • 文件大小：63488
    • 提供者：weixin_38656297

  1. 元器件应用中的二极管 三极管 MOS器件基本原理

  2. screen.width-333)this.width=screen.width-333" border=0> P-N结及其电流电压特性 screen.width-333)this.width=screen.width-333" border=0> 晶体二极管为一个由 p 型半导体和 n 型半导体形成的 p-n 结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于 p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。 当外

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：48128
    • 提供者：weixin_38665668

  1. 元器件应用中的半导体基本器件

  2. 内容提要 【了解】半导体的相关知识 【熟悉】二极管（即PN结）的单向导电性及主要参数 【了解】三极管的电流放大原理 【熟悉】三极管输出特性曲线的三个工作区及条件和特点、主要参数 【了解】MOS管的工作原理、相应的三个工作区以及与三极管的性能区别 一．网上导学 二．典型例题 三．本章小结 四．习题答案 网上导学： *了解半导体基础相关知识：1.半导体(导电性能介于┉) ；2.本征半导体(纯净,晶体)、共价键(共用电子对)；热激发：自由电子-空穴对、载流子、复合、浓度(微量,温度影响) 与掺

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：111616
    • 提供者：weixin_38677806
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