本文图文结合的解析了绝缘栅型场效应管的工作原理，希望对你的学习有所帮助。 　　增强型：VGS=0时，漏源之间没有导电沟道，在VDS作用下无iD。 　　耗尽型：VGS=0时，漏源之间有导电沟道，在VDS作用下iD。 　　1、结构和符号(以N沟道增强型为例) 　　在一块浓度较低的P型硅上扩散两个浓度较高的N型区作为漏极和源极，半导体表面覆盖二氧化硅绝缘层并引出一个电极作为栅极。 　　其他MOS管符号