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搜索资源 - 元器件应用中的场效应管使用注意事项
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单片机应用技术选编(7)
内容简介 《单片机应用技术选编》(7) 选编了1998年国内50种科技期刊中有关单片机开发应用的文 章共510篇,其中全文编入的有113篇,摘要编入的397篇。全书共分八章,即单片机综合 应用技术;智能仪表与测试技术;网络、通信与数据传输;可靠性与抗干扰技术;控制系统 与功率接口技术;电源技术;实用设计;文章摘要。 本书具有重要实用价值,书中介绍的新技术、新器件以及单片机应用系统的软、硬件资 料有助于减少产品研制过程中的重复性劳动,提高单片机应用技术水平,是从事单片机应用 开发技
所属分类:
硬件开发
发布日期:2010-05-19
文件大小:13631488
提供者:
zgraeae
msp430书稿开发板
第一章 超低功耗单片MSP430B - 11 - 1.1 单片机概述 - 11 - 1.1.1 MSP430系列单片机的特点 - 11 - 1.1.2 MSP430操作简介 - 11 - 1.1.3 MSP430系列单片机在系统中的应用 - 12 - 1.2 片内主要模块介绍 - 12 - 1.2.1时钟模块 - 13 - 1.2.1.1 MSP430F449的三个时钟源可以提供四种时钟信号 - 13 - 1.2.1.2 MSP430F449时钟模块寄存器 - 14 - 1.2.1.3 FLL
所属分类:
电信
发布日期:2011-03-17
文件大小:12582912
提供者:
lantingele
元器件应用中的IGBT的常识及使用注意事项
一、IGBT管简介 IGBT管是绝缘栅双极型晶体管(Isolated Gate Bipolar Transistor)的简称,它是80年代初诞生,90年代迅速发展起来的新型复合电力电子器件IGBT管是由MOSFET场效应晶体管和BJT双极型晶体管复合而成的,其输入级为MOSFET,输出级为PNP型大功率三极管,它融和了这两种器件的优点,既具有MOSFET器件输入阻抗高 响应速度快 热稳定性好和驱动电路简单的优点,又具有双极型器件通态电压低 耐压高和输出电流大的优点,其频率特性介于MOS-F
所属分类:
其它
发布日期:2020-10-20
文件大小:105472
提供者:
weixin_38631225
元器件应用中的场效应管使用注意事项
使用场效应管时应注意以下事项: (1)使用场效应管之前,必须首先搞清楚场效应管的类型及它的电极,必要时应通过仪表进行测试。 (2)在线路设计中,应根据电路的需要选择场效应管的类型及参数,使用时不允许超过场效应管的耗散功率、最大漏源电流和电压的极限值。 (3)各类场效应管在使冉时,都要按要求接人偏置电路,并注意偏置电路的极性。 (4)对于绝缘栅型场效应管(M0S管),因为栅极处于绝缘状态,其上的感应电荷很不容易放掉,当积累到一定程度时可产生很高的电压,容易将管子内部的Si02膜击穿,所以在
所属分类:
其它
发布日期:2020-11-23
文件大小:49152
提供者:
weixin_38722348