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  1. msp430书稿开发板

  2. 第一章 超低功耗单片MSP430B - 11 - 1.1 单片机概述 - 11 - 1.1.1 MSP430系列单片机的特点 - 11 - 1.1.2 MSP430操作简介 - 11 - 1.1.3 MSP430系列单片机在系统中的应用 - 12 - 1.2 片内主要模块介绍 - 12 - 1.2.1时钟模块 - 13 - 1.2.1.1 MSP430F449的三个时钟源可以提供四种时钟信号 - 13 - 1.2.1.2 MSP430F449时钟模块寄存器 - 14 - 1.2.1.3 FLL
  3. 所属分类:电信

    • 发布日期:2011-03-17
    • 文件大小:12582912
    • 提供者:lantingele
  1. 布线规则.txt

  2. 3 1. 一般规则 1.1 PCB板上预划分数字、模拟、DAA信号布线区域。 1.2 数字、模拟元器件及相应走线尽量分开并放置於各自的布线区域内。 1.3 高速数字信号走线尽量短。 1.4 敏感模拟信号走线尽量短。 1.5 合理分配电源和地。 1.6 DGND、AGND、实地分开。 1.7 电源及临界信号走线使用宽线。 1.8 数字电路放置於并行总线/串行DTE接口附近,DAA电路放置於电话线接口附近。 2. 元器件放置 2.1 在系统电路原理图中: a) 划分数字、模拟、DAA电路及其相关电
  3. 所属分类:硬件开发

    • 发布日期:2019-05-23
    • 文件大小:14336
    • 提供者:qq_33237941
  1. 电子研发及维修工程师基础培训系列讲座.zip

  2. 第一章 常用电子元器件的选用 1.教学要求 通过实用电路实例,分析常用电子元件在实际电路中的使用效果。通过比较不同类型、型号、参数的元器件在具体电路中对电信号作用,以及元器件本身的特性,了解在具体电路中选择元器件的依据。 2.主要内容 电阻、电容、电感、二极管、三极管、场效应管等元器件,按照标称值、功率、材质等分类标准的分类类型。元件的目测识别与采用工具的检测,在电路中的作用及简单应用。 3.重点 了解常用元器件的发展状况、价格、选用依据。掌握常见元件的识别与读值。色环电阻的读法,电容、电感
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-05-15
    • 文件大小:66060288
    • 提供者:weixin_43478742
  1. 基于直流变频技术的压缩机驱动系统的研究.pdf

  2. 基于直流变频技术的压缩机驱动系统的研究pdf,基于直流变频技术的压缩机驱动系统的研究密封技木两 www.mfw365.com 首家密封技行业门户网站 explained in the concrete Moreover, according to characteristic of the motor' s structure, the old Three-step Starting Technology" has been improved. What is more Important, a
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2019-09-13
    • 文件大小:15728640
    • 提供者:weixin_38744153
  1. 元器件应用中的场效应管的主要特性参数

  2. 一、直流参数  1.夹断电压UP  在UDS为某一固定值的条件下,使ID等于一个微小电流值(几微安)时,栅极上所加偏压UGS就是夹断电压。它适用于结型场效应管及耗尽型绝缘栅型场效应管。  2.开启电压UT  在UDS为某一固定值的条件下,使S极与D极之间形成导电沟道的UGS就是开启电压。它只适用于增强型绝缘栅型场效应管。  3.饱和电流IDSS  在UDS-O的条件下,漏极与源极之间所加电压大于夹断电压时的沟道电流称为饱和电流,它适用于耗尽型绝缘栅型场效应管。  4.直流输入电阻RGS     
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-23
    • 文件大小:27648
    • 提供者:weixin_38669093
  1. 元器件应用中的CS系列N沟道结型场效应管

  2. CS系列结型场效应管的主要特性参数见表。  CS系列结型场效应管主要特性参数   
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-23
    • 文件大小:129024
    • 提供者:weixin_38547397
  1. 元器件应用中的3DJ系列N沟道结型场效应管

  2. 3DJ系列场效应管的主要特性参数见表。  3DJ列场效应管主要特性参数   
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-23
    • 文件大小:256000
    • 提供者:weixin_38737176
  1. 元器件应用中的MT系列V-MOS功率场效应管

  2. MT系列V-MOS功率场效应管的主要特性参数见表。  MT系列V-MOS功率场效应管主要特性参数   
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-22
    • 文件大小:131072
    • 提供者:weixin_38509082
  1. 元器件应用中的VN系列N沟道V-MOS功率场效应管

  2. VN系列N沟道功率场效应管的主要特性参数见表。  VN系列N沟道功率场效应管主要特性参数   
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-22
    • 文件大小:186368
    • 提供者:weixin_38741244
  1. 元器件应用中的IRF系列V-MOS大功率场效应管

  2. IRF系列V-MOS大功率场效应管的主要特性参数见表。  IRF系列V-MOS大功率场效应管主要特性参数   
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-22
    • 文件大小:125952
    • 提供者:weixin_38638033
  1. 元器件应用中的P沟道结型开关场效应管

  2. 表列出了一些P沟道结型场效应管的主要特性参数。  一些P沟道结型开关场效应管主要特性参数   
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-22
    • 文件大小:63488
    • 提供者:weixin_38747025
  1. 元器件应用中的N沟道结型开关场效应管

  2. 表列出了一些N沟道结型开关场效应管的主要特性参数。  一些N沟道结型开关场效应管主要特性参数   
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-22
    • 文件大小:80896
    • 提供者:weixin_38674223
  1. 元器件应用中的双栅场效应管

  2. 双栅场效应管有一个源极、一个漏极和两个栅极,其中两个栅极是互相独立的,使得它可以用来作高频放大器、混频器、解调器及增益控制放大器等。表列出了一些双栅场效应管的主要特性参数。  一些双栅场效应管圭要特性参数   
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-22
    • 文件大小:117760
    • 提供者:weixin_38742532
  1. 元器件应用中的功率MOS场效应管

  2. 表列出了一些小功率MOS场效应管的主要特性参数。  一些小功率场效应管主要特性参数   
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-22
    • 文件大小:116736
    • 提供者:weixin_38651540
  1. 元器件应用中的小信号用片状绝缘栅场效应管主要性参数(SOT-23式封装)

  2. 与双极型半导体三极管相比,场效应管具有输入阻抗高、噪声低、动态范围大以及交叉调制失真小等特点。片状场效应管也同样具有上述特点。片状场效应管又分为片状结场效应管和片状绝缘栅场效应管两类。片状绝缘栅场效应管最大的特点是具有优良的开关特性。其导通电阻仅为几十毫欧姆,因此它的应用较为广泛。    表给出了小信号用片状绝缘栅场效应管的主要特性参数。                                                  表:小信号用片状绝缘栅场效应管主要性参数(SOT-23式封装
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-22
    • 文件大小:95232
    • 提供者:weixin_38535132