导读：近日，英飞凌科技股份公司开发出新一代功率MOSFET系列器件，该系列器件主要是针对体二极管硬式整流进行优化而退出的200V和250V OptiMOS FD,新产品的推出进一步完善了中压产品组合。 　　据了解，英飞凌的新一代功率MOSFET器件针对最高性能标准而优化的反向恢复电荷（Qrr），比标准的200V和250V OptiMOS,200V和250V OptiMOS FD的Qrr降低了40%,大幅提升了系统可靠性，从而最大限度地减少了对缓冲电路的需求；全新OptiMOS FD改善了硬换向