摘要：通过对 NG 样品、OK 样品进行了外观光学检查、金相切片分析、SEM/EDS 分析及模拟试验     分析，认为造成陶瓷电容耐压不良原因为二次包封模块固化过程中及固化后应力作用造成陶瓷     -环氧界面存在间隙，导致其耐压水平降低。     注：     1、NG=过程不良，应用于生产制造管理     2、SEM(scanning electron microscope)：扫描式电子显微镜     3、EDS（Energy Dispersive Spectrometer）：