隧穿二极管是1958年由日本的L．Esaki提出的，也叫f江崎二极管”。隧穿二极管是PN结二极管的一种特殊形式，其半导体材料的载流子掺杂浓度为每立方厘米10(19)或1020个原子，这是普通的PN结二极管的1O～1000倍。由耗尽区形成的势垒特别薄，为3～100A，或10cm。隧穿二极管的工作原理基于量子力学的隧穿效应，它是一种多数载流子的现象。一般而言，反向偏置时，PN结器件的电子没有足够的能量来穿越由耗尽区所产生的势垒。这种情况称为电子被陷在“势阱”中。因此，在这种情况下，理论上电流为零。但