飞思卡尔(Freescale)半导体日前在IEEE MTT-S国际微波大会上宣布推出全球最高功率的LDMOS射频功率晶体管。MRF6VP11KH设备提供130MHz、1kW的脉冲射频输出功率，具有同类设备最高的排放效率和功率增益。     该晶体管的操作电压为50V，与双极和MOSFET设备相比，它具有明显的优势。它能够提供核磁共振成像(MRI)系统、CO2激光器、等离子体发生器和其他系统所需的功率。     以高功率水平实现高增益，这大大减少了所需的部件数量，与传统设计相比，部件数量减少

飞思卡尔半导体日前在IEEE MTT-S国际微波大会上宣布推出全球最高功率的LDMOS射频功率晶体管。　　MRF6VP11KH 设备提供130 MHz、1 kW的脉冲射频输出功率，具有同类设备最高的排放效率和功率增益。 　　这种超高效率晶体管是飞思卡尔承诺为工业、科技和医疗（ISM）市场提供业界最具创新力的射频功率解决方案的最新例证。该晶体管的操作电压为50V，与双极和MOSFET 设备相比，它具有明显的优势。它能够提供核磁共振成像(MRI)系统、CO2激光器、等离子体发生器和其他系统所需的