Diodes公司推出全新20V NPN及PNP双极晶体管，它们采用超小型DFN1411-3表面贴装封装，能大大提升电源管理电路的功率密度和效率。该器件采用了Diodes第五代矩阵射极双极工艺设计(5 matrix emitter Bipolar process)。 　　这对互补性器件ZXTN26020DMF和ZXTP26020DMF的占位面积只有1.1×1.4毫米，离版高度为0.5毫米，有助于设计出极其纤巧的便携式产品，还可改善产品的电性能及热特性。 　　这些微型晶体管适用于MOSF

Diodes 公司推出全新20V NPN及PNP双极晶体管，它们采用超小型DFN1411-3表面贴装封装，能大大提升电源管理电路的功率密度和效率。该器件采用了Diodes第五代矩阵射极双极工艺设计 (5 matrix emitter Bipolar process)。 　　这对互补性器件ZXTN26020DMF和ZXTP26020DMF的占位面积只有1.1 x 1.4毫米，离版高度为0.5毫米，有助于设计出极其纤巧的便携式产品，还可改善产品的电性能及热特性。 　　这些微型晶体管适用于MOSF