一、IGBT管简介 　　IGBT管是绝缘栅双极型晶体管（Isolated Gate Bipolar Transistor）的简称，它是80年代初诞生，90年代迅速发展起来的新型复合电力电子器件IGBT管是由MOSFET场效应晶体管和BJT双极型晶体管复合而成的，其输入级为MOSFET,输出级为PNP型大功率三极管，它融和了这两种器件的优点，既具有MOSFET器件输入阻抗高 响应速度快 热稳定性好和驱动电路简单的优点，又具有双极型器件通态电压低 耐压高和输出电流大的优点，其频率特性介于MOS-F

MOS场效应晶体管在使用时应注意分类，不能随意互换。MOS场效应晶体管由于输入阻抗高（包括MOS集成电路）极易被静电击穿，使用时应注意以下规则： 　　1.MOS器件出厂时通常装在黑色的导电泡沫塑料袋中，切勿自行随便拿个塑料袋装。也可用细铜线把各个引脚连接在一起，或用锡纸包装。 　　2.取出的MOS器件不能在塑料板上滑动，应用金属盘来盛放待用器件。 　　3.焊接用的电烙铁必须良好接地。 　　4.在焊接前应把电路板的电源线与地线短接，再MOS器件焊接完成后在分开。 　　5.MOS