导读：意法半导体（简称“ST”）日前发布三款先进的高压功率MOFET系列产品，此系列产品具有高达650V和800V电压运行所要求的隔离通道长度和间隙，采用的PowerFLAT封装比主流的DPAK封装缩小52%. 　　据悉，ST的三款先进的高压功率MOFET系列产品是将两项新的封装技术应用到三个先进的高压功率MOFET系列产品中，不仅提高了管子的高压输出能力，而且让充电器、太阳能微逆变器和计算机电源等注重节能的设备变得更紧凑、更稳健、更可靠。 　　除此之外，ST的三款先进的高压功率MOFET系