日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用双面冷却、导通电阻最低的60V器件——SiE876DF。新的SiE876DF采用SO-8尺寸的PolarPAK封装，在10V栅极驱动下的最大导通电阻为6.1Ω，比市场上可供比较的最接近器件减小了13%。 　　N沟道SiE876DF的目标应用是工业型电源、马达控制电路、用于服务器和路由器的AC/DC电源，以及使用负载点(POL)功率转换的系统，还可以在更高电压的中间总线转换(IBC)设计中用做初级侧开关或次级侧整流。

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出一款业界最低导通电阻的新型20V P沟道功率MOSFET——SiB457EDK，这是以往1.6mm×1.6mm占位面积的P沟道器件所不曾实现的。新型SiB457EDK采用了TrenchFET Gen III P沟道技术，该技术利用自对准工艺制程，在每平方英寸的硅片上装进了十亿个晶体管单元。该项前沿技术可实现极其精细、亚微米线宽工艺，将目前业界P沟道MOSFET的最低导通电阻减小了将近一半。 　　随着这种新器件的发布，采用四