日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出具有业内最低导通电阻的新款N沟道MOSFET器件 --- SiR494DP，将该系列的第三代TrenchFET功率MOSFET的电压降至12V，同时该器件的导通电阻与栅电荷的乘积也是这种额定电压的器件当中最低的。 　　额定电压12V的SiR494DP在10V和4.5V栅极驱动下的最大导通电阻分别为1.2mΩ和1.7mΩ。导通电阻与栅电荷的乘积是*价用于DC-DC转换器应用中MOSFET的关键品质因数(FOM)，该器件在4.

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用热增强PowerPAK SC-75封装、提供8V～30V VDS的功率MOSFET，扩大了N沟道TrenchFET家族的阵容。此次发布的器件包括业界首款采用1.6mm×1.6mm占位的30V器件，以及具有业内最低导通电阻的20V MOSFET。 　　已经发布的Siliconix SiB414DK是首款8V单N沟道功率MOSFET，也采用PowerPAK SC-75占位的封装，30V SiB408DK和20V SiB41