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搜索资源列表

  1. 红外发射以及接受电路

  2. 内有红外发射头的电路，以及光电一体化接受头的电路！

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2009-07-26
    • 文件大小：36864
    • 提供者：liushuai280

  1. 光电开关的分类及术语

  2. 光电开关是传感器大家族中的成员，它把发射端和接收端之间光的强弱变化转化为电流的变化以达到探测的目的 光电开关的分类及术语解释 使用注意事项

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2009-09-01
    • 文件大小：22528
    • 提供者：pandawl1986

  1. 详细!槽型光电开关的应用和检测与LM393运用电路文章

  2. 下面以NPN槽型光电开关为例，对其工作原理作一简单的描述：当光电开关通上工作电源，光电发射管发出红外线，接收管处于导通状态。使5点电压小于2.5V以下,并此时6点状态电压为2.5V左右,5点电压比6点电压低.并送进LM393进行比较大小,输出一个电平.当遮挡片或物体经过"凹槽"时，接收管的红外线信号被中断，其C、E极恢复阻断状态。此是5点状态为5V ,而6点状态电压仍为2.5V左右.低是5点,LM393比较后输出一个反向电平.当遮挡片或物体过去后，接收管重新接收到红外线信号，其C、E极重新处于

  3. 所属分类：C

    • 发布日期：2010-05-18
    • 文件大小：80896
    • 提供者：tenme

  1. 光电发射、接受设计指导书

  2. 设计一套光电发射电路和光电接收电路，以电路为主（模电、数电），结合一些光电子器件的应用。主要有光电传感检测电路。

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2010-05-19
    • 文件大小：6291456
    • 提供者：cjlumerry

  1. 光电防盗报警器硬件部分的设计

  2. 目 录 摘要 ………………………………………………………………… 第1章 绪论 ……………………………………………………… 1.1引言…………………………………………………………… 1.2光电防盗报警系统的发展状况 ………………………… 第2章 光电防盗报警器的设计目的和内容 ………………… 第3章 光电防盗报警器的工作原理 ……………………… 3.1热释电红外探测原理与器件 ………………………… 3.2.热释电效应 …………………………………………… 3.3热释电光敏器件的结构 ………………

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2011-12-28
    • 文件大小：635904
    • 提供者：cw2859

  1. 第7届飞思卡尔光电组激光发射与接收原理图.pdf

  2. 个人原创并成功实现预想效果，立即上传，供大家参考。 第7届飞思卡尔光电组激光发射与接收原理图.pdf 飞思卡尔光电组，激光发射与接收原理图，最新上传资源，飞思卡尔竞赛，protel原理图。

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2012-03-15
    • 文件大小：50176
    • 提供者：whatnamer

  1. 光电开关的原理与应用

  2. 光电开关是传感器大家族中的成员，它把发射端和接收端之间光的强弱变化转化为电流的变化以达到探测的目的。由于光电开关输出回路和输入回路是电隔离的（即电缘绝），所以它可以在许多场合得到应用。

  3. 所属分类：互联网

    • 发布日期：2013-05-24
    • 文件大小：130048
    • 提供者：sfx87

  1. 光电式探丝传感器的原理

  2. 光电式探丝传感器能对纺织机械纺的纤维进行非接触断丝检测，并能配合切丝器及时切断断丝，以防止纤维缠绕机器部件。 1、红外发射及接收电路（见图1）。 为了使发光二极管的亮度始终保持一定，由 LED 1 、N 1 、R 0 、Z D1 和R 1 构成恒流源红外发射电路，IC 2B ,P H , R 2 ～ R 4 构成红外接收电路，信号通过C 1 耦合输出。当P H 接受到的红外光能不变时，IC 2B 的7脚输出电平不变，则 C 1 无耦合信号输出。当由于丝线的摆动而不断重复地切割红外光束使P H

  3. 所属分类：C

    • 发布日期：2008-12-05
    • 文件大小：56320
    • 提供者：lm0735

  1. 光电耦合器（中国电子科技集团）

  2. 光电耦合器是一种把红外光发射器件和红外光接受器件以及信号处理电路等封装在同一管座内的器件。当输入电信号加到输入端发光器件LED上，LED发光，光接受器件接受光信号并转换成电信号，然后将电信号直接输出，或者将电信号放大处理成标准数字电平输出，这样就实现了“电－光－电”的转换及传输，光是传输的媒介，因而输入端与输出端在电气上是绝缘的，也称为电隔离。

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2009-02-01
    • 文件大小：5242880
    • 提供者：yishuibihan

  1. 光电发射中的反福勒温度制度

  2. 根据Fowler理论和大量实验，导体光发射的量子效率随温度而增加。 在这里我们表明，当光发射来自n型半导体的准金属表面累积层时，相反的温度依赖性也是可能的。 这是由于半导体中费米能级的温度依赖性。 费米能级随着温度的降低而增加。 这导致半导体功函数的减小，并因此导致在能量的吸收光量子的恒定值下量子效率光发射的增大。 我们已经计算出了对正电荷铯或钡离子吸附所引起的n-GaN中电子累积层的影响。 发现在液氮附近的低温下，光发射的量子效率增加到接近55％，这可与任何已知光阴极所报道的最大值相媲美。 这

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-06-04
    • 文件大小：530432
    • 提供者：weixin_38509082

  1. 通信与网络中的光发射模块中激光器与光纤的无源耦合

  2. 杨存永， 汪锁发， 赵知夷(中科院微电子研究所， 北京 100029)摘要：对光电发射模块中激光器与光纤的无源耦合作了研究。利用成熟的100mm硅工艺研制成功了无源耦合用硅基平台，并可以批量生产。在此基础上利用倒装工艺实现了激光器与单模光纤的无源耦合，出纤光功率达到了毫瓦级，且经过37次高低温冲击性能不变。 关键词：硅基平台；无源耦合；V型槽 中图分类号：TN751.1；TN248 文献标识码：A 文章编号：1003-353X(2005)01-0066-031 引言 随着个人通信由单纯的语音向多

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：96256
    • 提供者：weixin_38675777

  1. 显示/光电技术中的智能型光电采样器的设计

  2. 各代光电采样器的比较 　　第一代模拟式光电采样器，是一种简单的光电发射、接收电路，几乎不具备抗外界干扰能力。第二代模拟式光电采样器，具有一定的抗外界干扰性能，但是需电位器调节。在电表转速发生变化时，往往不能正常采样，需多次调节，大大降低了工作效率；另外，电位器使用一久，机械件的松动和电位器的磨损，使有些光电采样器根本无法正常采样。第三代数控式光电采样器的出现，使光电采样器的发展产生了质的飞跃，该产品对好光后，即可正常采样，且具有一定的抗干扰性能，但该产品在外界光线变化较大时，往往不能正常采样。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-04
    • 文件大小：84992
    • 提供者：weixin_38636461

  1. 场助InGaAsP/InP异质结半导体光电阴极的研究

  2. 本文通过对InGaAsP/InP场助异质结半导体光电阴极的材料生长、场助肖特基结的制备及阴极激活等工艺的系统研究,研制出具有较高光谱响应的半导体光电阴极,生长出优于文献报道的晶格失配率标准的材料,得到相当80年代国际水平理想因子值的场助肖特基结,用实验数据介绍提高量子效率数量级的方法和条件.研究结果表明场助异质半导体光电阴极是在红外波段很有潜力的光电发射体.

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-26
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38709312

  1. 透射式GaN紫外光电阴极的制备及光电发射性能

  2. 设计了一种以蓝宝石为衬底、AlN为缓冲层的MOCVD外延P-GaN样品作为透射式阴极材料，并利用超高真空表面净化工艺与（Cs,O）激活工艺对其进行了光电阴极制备。紫外光谱响应测试结果表明，所制备的GaN紫外光电阴极在透射式工作模式下具有明显的“门”字响应，最高量子效率15％，与反射式光谱响应曲线相比，透射式阴极的总体响应幅度较低，长波响应阈值向短波推移。最后从阴极材料结构、外延水平及阴极制备工艺方面分析了所得的实验结果。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-26
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38703626

  1. 指数掺杂结构对透射模GaAs光电阴极光发射能力的影响

  2. 为了验证指数掺杂结构对阴极性能的实际影响， 指数掺杂结构已被应用于传输模式砷化镓的制备通过分子束外延技术制造光电阴极。 与均匀掺杂相比光电阴极的活化和光谱响应结果表明，指数掺杂光电阴极可以实现更高的光电发射能力。 另外，根据修订均匀掺杂和指数掺杂传输模式量子产率方程，阴极性能参数，如电子的平均传输长度和电子逸出概率。 得到的指数掺杂光电阴极大于均匀掺杂之一。 阴极性能的提高归因于内置这种特殊的掺杂结构产生的电场，有效地增加了电子运输效率和逃逸概率。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-24
    • 文件大小：559104
    • 提供者：weixin_38515362

  1. 激光驱动的钠钾锑光电阴极的稳定性研究

  2. 测得了YAG激光(波长为1.06 μm和0.53 μm.脉冲宽度为50 ps)作用下的透射式和反射式钠钾锑阴极具有稳定光电发射最大激光光强并对其进行了讨论.当光强继续增加一定值时, 阴极薄膜将被蒸发。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-11
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38685538

  1. 负电子亲和势GaAs光电阴极中的三光子激发和发射的理论研究

  2. 将三阶微扰理论应用于单晶GaAs半导体,结合与实际相接近的能带结构,得到了GaAs中三光子吸收系数的解析式表达式,在考虑了激发电子的逃逸过程的情况下,进而推导了负电子亲和势GaAs光电阴极中三光子光电发射的发射系数的解析表达式.两表达式得到的理论数值分别与用ns量级脉宽、2.06μm波长的激光测得的GaAs中三光子吸收系数和GaAs(Cs,O)光电阴极中三光子发射系数的实验值相比较,吻合较好.

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-10
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38680492

  1. GaN负电子亲和势光电阴极的激活工艺

  2. 以金属有机化学气相沉积(MOCVD)外延的p型GaN为阴极发射层材料,通过对激活过程中阴极光电流的在线监测,考察了Cs激活,Cs/O交替激活以及高低温两步激活对GaN阴极光电发射性能的影响。实验结果表明,单用Cs激活就可制备出量子效率约为20％的GaN光电阴极,Cs激活后再进行2-3个Cs/O循环激活可小幅度提高量子效率,高低温两步激活不能进一步提高量子效率。利用偶极层表面模型对实验现象进行了解释。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-10
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38607971

  1. 不同掺杂砷化镓光电阴极光电发射性能分析

  2. 采用分子束外延技术制备了具有相同的均匀掺杂或指数掺杂的反射式(r-mode)和透射式(t-mode)GaAs光电阴极样品。利用在线光谱响应测试系统测试了它们的光谱响应，并对实验曲线进行拟合，得到了电子扩散长度和积分灵敏度。结果表明，经工艺处理后的t-mode样品，在均匀掺杂情况下其电子扩散长度的减小量是指数掺杂情况的两倍，积分灵敏度的降低量后者比前者少3%，因此指数掺杂方式有利于降低组件制备工艺对阴极材料发射层的影响。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-07
    • 文件大小：4194304
    • 提供者：weixin_38598703

  1. 光电导效应、光生伏特效应

  2. * 过程1电子吸收光子以后产生激发即得到能量2得到光子能量的电子受激电子从发射体内向真空界面运动电子传输3这种受激电子越过表面势垒向真空逸出 * * 我们以前所学过的光电效应即指光电发射效应1905年

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-21
    • 文件大小：9437184
    • 提供者：weixin_38564598
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