集成光电子学无论在技术还是成本上都占有优势。对于III-V族化合物来说，硅材料和SOl（硅在绝缘体上）在基片处理成本，封装密度等方面均占有优势。微电子工艺的发展水平使得集成光学的工艺很容易实现。目前集成光学的特征尺寸一般为1～2 gm，最小也不过亚微米量级，而微电子目前65 nm的工艺已经开始了，这使得硅的制作工艺难度和成本均较其他材料占有优势。硅是制作无源光器件的最佳选择，但对有源器件来说，还任重而道远。硅发光目前效率还较低，但也不断的有惊喜出现，发光器件如英特尔的拉曼放大器，美国俄亥俄州立大
