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  1. MOCVD技术在光电薄膜方面的应用及其最新进展

  2. MOCVD技术在半导体材料和器件及薄膜制备方面取得了巨大的成功。尽管如此，MOCVD仍是一种发展中的半导体超精细加工技术，MOCVD技术的进一步发展将会给微电子技术和光电子技术带来更广阔的前景。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-24
    • 文件大小：95232
    • 提供者：weixin_38601364

  1. 显示/光电技术中的MOCVD技术在光电薄膜中的应用

  2. 导读: MOCVD技术在半导体材料和器件及薄膜制备方面取得了巨大的成功。尽管如此，MOCVD仍是一种发展中的半导体超精细加工技术，MOCVD技术的进一步发展将会给微电子技术和光电子技术带来更广阔的前景。 　　一、引言 　　近年来，随着半导体工业的发展以及高速光电信息时代的来临，LPE、VPE等技术在半导体业生产中的作用越来越小；MBE与MOCVD技术相比，由于其设备复杂、价格更昂贵，生长速度慢，且不适pC-长含有高蒸汽压元素(如P)的化合物单晶，不宜于工业生产。而金属有机物化学气相淀积(MO

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-04
    • 文件大小：97280
    • 提供者：weixin_38742409

  1. 用薄膜转移技术连接衬底和器件结构

  2. 用薄膜转移技术连接衬底和器件结构绝缘体上外延硅（SOI）是用埋层二氧化硅（buried oxide, BOX）分隔有源的顶层硅和下层的承载硅片的工程衬底的第一个例子。它能满足主流MOSFET的性能要求。已经有许多文献全面地论述了SOI增强部分耗尽器件和全耗尽器件的性能、减小器件的漏电流和功耗并适用于低压器件结构的能力。本文将综述集成电路产业需求驱动下衬底工程学方面的最新发展，并给出光电子、射频和高功率管理等其他领域的令人感兴趣的复合衬底的例子。Soitec公司的Smart Cut层转移技术使得有

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：105472
    • 提供者：weixin_38659805

  1. 传感技术中的新颖固体图像传感器的发展及应用

  2. 摘 要：主要概述SuperCCD、CMOS图像传感器、C3D、APDIS、ARAMIS、FoveonX3全色CMOS图像传感器、VMIS、薄膜ASIC图像传感器、SeeMOS图像传感器等新颖固体图像传感器的发展现状。此外，简单介绍其应用市场和主要技术。       关键词：电荷耦合器件；CMOS图像传感器；数码相机；数字摄像机；综述       1 引言       固体图像传感器属于光电子产业领域的光电子成像器件。随着数码技术、半导体器件制造技术、光电子技术及网络技术的迅速发展，目前市

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-06
    • 文件大小：151552
    • 提供者：weixin_38656676

  1. 光电子薄膜器件

  2. 本文介绍了光电导、场致发光、和电致变色等光电子功能薄膜及器件。着重于应用于大屏幕显示和可见－红外动态图象转换系统的液晶光阀空间光调制器、电致发光以及场致变色薄膜器件的原理、制作及特性等。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-05
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38629042

  1. 氮化物宽禁带半导体的MOCVD大失配异质外延

  2. 以氮化镓(GaN)、AlN(氮化铝)为代表的Ⅲ族氮化物宽禁带半导体是研制短波长光电子器件和高频、高功率电子器件的核心材料体系。由于缺少高质量、低成本的同质GaN和AlN衬底，氮化物半导体主要通过异质外延，特别是大失配异质外延来制备。由此导致的高缺陷密度、残余应力成为当前深紫外发光器件、功率电子器件等氮化物半导体器件发展的主要瓶颈，严重影响了材料和器件性能的提升。本文简要介绍了氮化物半导体金属有机化学气相沉积(MOCVD)大失配异质外延的发展历史，重点介绍了北京大学在蓝宝石衬底上AlN、高Al组分

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-22
    • 文件大小：4194304
    • 提供者：weixin_38734037

  1. c-AlN/TiN/Si(100)异质结构的显微组织及光学性能

  2. 立方氮化铝(c-AlN)以其优异的性能成为发光二极管、激光二极管等光电子器件的理想材料。采用激光分子束外延法制备了c-AlN/TiN/Si(100)异质结构,研究了它的显微组织和光学性能。结果表明:AlN薄膜和TiN缓冲层呈立方岩盐矿结构的(200)面择优取向;c-AlN薄膜、TiN缓冲层和Si衬底的界面清晰,不存在第二相,但错配应力使得界面处存在一定的缺陷;c-AlN薄膜的光致发光谱分别在376,520,750 nm处有3个发光中心;376 nm处的发光峰与氮空位(VN)和氧杂质(ON)有关,

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-13
    • 文件大小：5242880
    • 提供者：weixin_38744902

  1. 光学薄膜塔姆态诱导石墨烯近红外光吸收增强

  2. 提出了一种增强石墨烯光吸收率的布拉格光栅/石墨烯/金属薄膜光学结构。运用传输矩阵和时域有限差分法研究了其光传输特性, 发现布拉格光栅与金属薄膜之间形成的塔姆等离激元局域场可有效增强光与石墨烯的相互作用, 单层石墨烯的近红外光吸收率约增大了36倍。探讨了布拉格光栅的周期、石墨烯位置、入射角度、布拉格光栅层厚度及石墨烯化学势与石墨烯光吸收的关系。研究结果表明, 上述物理参数的变化可有效调控石墨烯的光吸收波长及效率。研究结果为高性能石墨烯探测器等新型光电子器件的实现提供了新的途径。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-12
    • 文件大小：4194304
    • 提供者：weixin_38638688

  1. 微纳结构功能性雕塑薄膜

  2. 微纳结构雕塑薄膜是在低温环境下采用倾斜角沉积技术再辅以基片的运动而制备得的各向异性功能性薄膜。由于沉积过程中的自阴影效应使得雕塑薄膜中存在很多孔洞，而且微观结构复杂多样，从而表现出很多新颖的光学特性，因此可作为微纳光电子器件实现工业应用。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-10
    • 文件大小：3145728
    • 提供者：weixin_38705873

  1. 基于微腔效应增强单层二硫化钨光吸收

  2. 提出基于金属薄膜-分布式布拉格反射器微腔效应增强单层二硫化钨光吸收的多层薄膜结构。运用光学传输矩阵理论研究了其输运特性，发现由于金属薄膜-分布式布拉格反射器的微腔效应，在间隔层和覆盖层之间形成电场强度极大值，有效促进入射光与单层二硫化钨的相互作用。综合优化金属层、间隔层和覆盖层厚度，单层二硫化钨在612 nm处的光吸收提高了38倍，达到78.42%。进一步探讨了光入射角、分布式布拉格反射器周期、间隔层折射率与单层二硫化钨光吸收的关系。研究结果表明，上述结构参数的变化可有效调控单层二硫化钨的吸收峰

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-06
    • 文件大小：3145728
    • 提供者：weixin_38620314

  1. 基于石墨烯的光纤功能化传感器件和激光器件

  2. 石墨烯材料的发展将光电子学、微纳米技术和材料物理学紧密联系在一起。作为一种柔性薄膜,石墨烯材料在光纤光波导平台上的组装更加方便。近年来,基于石墨烯的光纤功能器件以其丰富的功能推动着光电子学科的发展。重点关注当前广泛应用的传感、激光和非线性器件,介绍了石墨烯及其相关材料的制备工艺和与光纤结合的方法。通过对国内外相关研究成果的综述,充分展现了石墨烯光纤器件的性能和应用优势。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-26
    • 文件大小：24117248
    • 提供者：weixin_38688969

  1. MOCVD技术在光电薄膜中的应用

  2. 导读: MOCVD技术在半导体材料和器件及薄膜制备方面取得了巨大的成功。尽管如此，MOCVD仍是一种发展中的半导体超精细加工技术，MOCVD技术的进一步发展将会给微电子技术和光电子技术带来更广阔的前景。 　　一、引言 　　近年来，随着半导体工业的发展以及高速光电信息时代的来临，LPE、VPE等技术在半导体业生产中的作用越来越小；MBE与MOCVD技术相比，由于其设备复杂、价格更昂贵，生长速度慢，且不适pC-长含有高蒸汽压元素(如P)的化合物单晶，不宜于工业生产。而金属有机物化学气相淀积(MO

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-19
    • 文件大小：96256
    • 提供者：weixin_38735541