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搜索资源列表

  1. PerkinElmer光电探测器CAT_Sensors_Chinese.pd

  2. PerkinElmer光电探测器CAT_Sensors_Chinese.pd

  3. 所属分类：互联网

    • 发布日期：2016-04-12
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：z9hong

  1. 闪烁体-光电探测器结合的同质量热仪能量分辨性能的仿真研究

  2. 在高能和粒子物理实验中使用的活性材料的闪烁特性对于量热仪和实验的性能都起着重要作用。 检查了两种闪烁体材料，一种闪烁玻璃和一种无机晶体，可用于显示良好光学和闪烁特性的对撞机实验。 本文讨论了在闪烁体-光电探测器组合中组装的两种感兴趣的材料的模拟性能。 使用Geant4仿真程序进行了计算研究，以确定具有不同束能量和量热计尺寸的这种量热计的能量分辨率。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-03-28
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38693586

  1. 高性能低维半导体材料_硅异质结光电探测器_刘雪梅.caj

  2. 二维材料石墨烯、低维化合物材料硒化铟等光电性能良好的半导体材料，可 以与硅衬底结合制备高响应度高探测率等高性能的光电探测器。由于石墨烯与硅 接触时易被调控，本论文主要研究了将氟化石墨烯、掺硼硅量子点等材料与石墨 烯／硅光电探测器结合，对石墨烯进行调控，提升器件的响应特性。

  3. 所属分类：讲义

    • 发布日期：2020-02-26
    • 文件大小：8388608
    • 提供者：SparkQiang

  1. 硅光电探测器光谱响应度测量标准装置

  2. 硅光电探测器光谱响应度测量标准装置，硅光电探测器光谱响应度测量标准装置

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2012-12-14
    • 文件大小：140288
    • 提供者：yhy900728

  1. 1.33μm和1.55μm波长量子级联光电探测器的设计

  2. 本文介绍了一种基于量子阱中子带间跃迁的量子级联光电探测器，该探测器能够检测两条单独电流路径中的1.33μm和1.55μm波长。 由于其带隙大，所以使用基于III族氮化物材料的多量子阱结构。 为了计算光电探测器的参数，通过在80？K处自洽求解一维Schrodinger-Poisson方程，获得了波函数和能级。 用于检测1.33μm和1.55μm波长的响应度值分别约为22 mA / W和18.75 mA / W。 在波长为1.33μm和1.55μm的波长下，检测值分别计算为1.17×107（Jone

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-06-03
    • 文件大小：678912
    • 提供者：weixin_38522636

  1. 光电探测器前置放大电路设计

  2. 光电探测器前置放大电路设计光电探测器前置放大电路设计光电探测器前置放大电路设计

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2011-02-24
    • 文件大小：219136
    • 提供者：mjbhhxx

  1. 新型量子光电探测器读出与显示

  2. 对一种响应近红外的新型量子光电探测器特性进行测试和分析，给出了2×8探测器阵列和读出电路的对接测试结果，设计初步的成像系统采集显示焦平面输出。探测器有一个-0.8V的阈值电压，偏压大于阈值电压后器件响应率远大于1A/W,且响应率随光照功率增大减小。2×8探测器阵列与设计的读出电路通过Si基板对接后在77K条件测试，读出电路的线性度好于99.5%,信噪比达到67dB,探测器偏压为-1.5V,积分时间为200μs时探测器率达到1.38×1010cmHz1/2/W,达到实际应用的要求。设计了数据采集卡

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-08
    • 文件大小：270336
    • 提供者：weixin_38706824

  1. 解析新型量子光电探测器的读出与显示

  2. 目前工业、医疗、天文和军事对近红外探测和成像有大量需求，本文介绍了一种响应近红外的新型高增益GaAs/InGaAs量子光电探测器。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-30
    • 文件大小：300032
    • 提供者：weixin_38686557

  1. 红外光电探测器在静电对靶喷雾中的工作原理及应用

  2. 详细介绍了红外光电探测器，以及用红外光电探测器探测棉花的位置，实现对靶喷雾的设计。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-22
    • 文件大小：166912
    • 提供者：weixin_38616809

  1. 显示/光电技术中的新型量子光电探测器读出与显示

  2. 摘要：对一种响应近红外的新型量子光电探测器特性进行测试和分析，给出了2×8探测器阵列和读出电路的对接测试结果，设计初步的成像系统采集显示焦平面输出。探测器有一个-0.8V的阈值电压，偏压大于阈值电压后器件响应率远大于1A/W,且响应率随光照功率增大减小。2×8探测器阵列与设计的读出电路通过Si基板对接后在77K条件测试，读出电路的线性度好于99.5%,信噪比达到67dB,探测器偏压为-1.5V,积分时间为200μs时探测器率达到1.38×1010cmHz1/2/W,达到实际应用的要求。设计了数据

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-20
    • 文件大小：282624
    • 提供者：weixin_38699492

  1. 光电探测器前置放大电路研究

  2. 在弱光检测中，光经过光电探测器转换为电信号，此信号极其微弱。要实现光电转换，并有效地利用这种信号，必须对光电器件采取适当偏置，然后再将已转换的电信号进行放大处理。对光电导器件、光伏型探测器、光电流型探测器的前置电路进行研究与设计。根据不同种类的探测器及探测光信号的频率特性选取不同的偏置与放大电路，使前置电路的性能达到最优。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-20
    • 文件大小：310272
    • 提供者：weixin_38630853

  1. 红外光电探测器在静电对靶喷雾中的应用

  2. 详细介绍了红外光电探测器，以及用红外光电探测器探测棉花的位置，实现对靶喷雾的设计。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-19
    • 文件大小：185344
    • 提供者：weixin_38718262

  1. 四象限光电探测器的设计方案

  2. 四象限光电探测器实际由四个光电探测器构成，每个探测器一个象限，目标光信号经光学系统后在四象限光电探测器上成像，如图1。一般将四象限光电探测器置于光学系统焦平面上或稍离开焦平面。当目标成像不在光轴上时，四个象限上探测器输出的光电信号幅度不相同，比较四个光电信号的幅度大小就可以知道目标成像在哪个象限上（也就知道了目标的方位），若在四象限光电探测器前面加上光学调制盘，则还可以求出像点偏离四象限光电探测器中心的距离或θ角来。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-26
    • 文件大小：131072
    • 提供者：weixin_38543749

  1. 四象限光电探测器的设计方案

  2. 一、原理 　　四象限光电探测器实际由四个光电探测器构成，每个探测器一个象限，目标光信号经光学系统后在四象限光电探测器上成像，如图1。一般将四象限光电探测器置于光学系统焦平面上或稍离开焦平面。当目标成像不在光轴上时，四个象限上探测器输出的光电信号幅度不相同，比较四个光电信号的幅度大小就可以知道目标成像在哪个象限上（也就知道了目标的方位），若在四象限光电探测器前面加上光学调制盘，则还可以求出像点偏离四象限光电探测器中心的距离或θ角来。 图1 目标在四象限光电探测器上成像 图2方位探测器

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-06
    • 文件大小：218112
    • 提供者：weixin_38581777

  1. 电子测量中的各种光电探测器的性能比较和应用选择

  2. （1）各种光电探测器的性能比较 　　在动态特性（即频率响应与时间响应）方面，以光电倍增管和光电二极管（尤其是PIN管与雪崩管）为最好；在光电特性（即线性）方面，以光电倍增管、光电二极管和光电池为最好；在灵敏度方面，以光电倍增管、雪崩光电二极管、光敏电阻和光电三极管为最好。值得指出的是，灵敏度高不一定就是输出电流大，而输出电流大的器件有大面积光电池、光敏电阻、雪崩光电二极管和光电三极管；外加偏置电压最低的是光电二极管、光电三极管，光电池不需外加偏置；在暗电流方面，光电倍增管和光电二极管最小，光电

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-13
    • 文件大小：65536
    • 提供者：weixin_38629042

  1. 显示/光电技术中的光电探测器频率响应

  2. 光电探测器正常工作所能探测到入射光信号的调制频率是有限的，调制频率高于光电探测器频率响应的入射光信号将不能被正确探测出。频率响应是光电探测器对加在光载波上的电调制信号的响应能力的反应，表征了光电探测器的频率特性。光电二极管的响应速度是由探测信号的上升时间或下降时间来衡量的，通常取两者之间较大的值。在光纤通信中，要求接收端的光电探测器能够对光纤中的高速调制光脉冲信号快速响应，从而提高信噪比，降低系统的误码率。 　　在半导体光电探测器中，影响响应速度的因素主要有［12］： 　　（1）耗尽区内载流

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-14
    • 文件大小：45056
    • 提供者：weixin_38692122

  1. 显示/光电技术中的光电探测器理论基础

  2. 光电探测器是指能将入射光能量转化为电信号的一类光电子器件。为了探测入射光，人们需要先将光信号转化为与入射光强度成比例的电信号以方便测量。例如，在光纤通信系统中，人们将需要传输的语音图像等数据信息调制成激光信号，激光信号经过光纤传输到达接收端后便由光电探测器将光信号探测出来转化为电信号。电信号再经过接收器电路放大、整形、处理之后就还原到我们需要的语音、图像等数据信息。 　　光电探测器的诞生可追溯到1873年，英国的W.Smith发现硒（Se）具有光电导效应，即硒的电阻值随入射光强度的增大而减小。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-14
    • 文件大小：41984
    • 提供者：weixin_38702726

  1. 显示/光电技术中的光电探测器性能的参数

  2. 表征光电探测器性能参数主要有：量子效率、响应度、频率响应、噪声和探测度等。其中量子效率和响应度表征了光电探测器将入射光转换成光电流本领的大小，频率响应表征了光电探测器工作速度的快慢，噪声和探测度表征了光电探测器所能探测到最小的入射光能量。 　　欢迎转载，信息来源维库电子市场网（www.dzsc.com）   来源:ks99

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-14
    • 文件大小：21504
    • 提供者：weixin_38596413

  1. 显示/光电技术中的GaN PIN光电探测器结构

  2. 为了提高工作速度和响应度，往往采用PIN结构。PIN结构GaN紫外光电探测器具有以下优点：（1）由于高的势垒，因此有较低的暗电流；（2）工作速度高；（3）高阻抗适于焦平面阵列读出电路；（4）通过调整本征层的厚度可以调整其量子效率和工作速度；（5）器件可以在低偏压下或者零偏压下工作[12]。在PIN结构中，本征层起到了至关重要的作用，其厚度需要认真优化，因为它既影响了效率又影响了器件速度。图3－25是一种常见的GaN ΠN光电探测器结构四，首先在600°C下淀积⒛nm厚的低压缓冲层到蓝宝石称底，接

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-14
    • 文件大小：76800
    • 提供者：weixin_38663443

  1. 显示/光电技术中的GaN基肖特基结构紫外光电探测器

  2. GaN光电导型探测器的最大缺点是光电导的持续性，即光生载流子不会随入射光的消失而立刻消失，此效应增加了光响应时间降低了探测器工作速率。相比之下，GaN基肖特基结构紫外光电探测器有较好的响应度和更快的响应速度。第一支GaN基肖特基紫外光电探测器于1993年被提出四，它具有如图1（a）所示的结构：它也是在蓝宝石衬底上外延生长GaN，通过掺杂Mg实现P型掺杂，最后再淀积电极形成肖特基势垒和欧姆接触，图中Ti/Au为肖特基接触，Cr/Au为欧姆接触。零偏压下光响应是0.13A/W，响应时间大约为1uS，

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-14
    • 文件大小：60416
    • 提供者：weixin_38505158
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