采用耦合模微扰理论推导了旋转磁光布拉格光纤光栅（MFBG）的耦合模方程，利用打靶法数值分析了旋转导致的折射率变化对光栅光谱旁峰的影响，得到了与文献一致的结果。提出“磁圆相关损耗”的概念，并用于分析旋转磁光光纤光栅的磁场敏感性。研究表明，高速旋转（或各向同性）MFBG的磁圆相关损耗特性具有最佳的磁场敏感性；而适当低速旋转的MFBG可获得更高的磁圆相关损耗峰值，有助于提高光栅磁场敏感性的测量精度。与“偏振相关损耗”方法相比，“磁圆相关损耗”方法对线双折射的依赖性更小，理论分析也更简便。

由法拉第效应原理,通过测量磁场引起光纤布拉格光栅(FBG)的偏振相关损耗(PDL),可以测得磁感应强度大小。FBG中线双折射的存在,同样改变了光的偏振特性,仿真并实验验证了FBG固有偏振相关损耗的特点。利用琼斯矩阵法理论推导了FBG在既有双折射又有磁场影响时,输入线偏振光偏振态的变化规律。通过对偏振相关损耗与线偏振光起偏角和双折射大小的仿真分析可知,不同起偏角的线偏光对线双折射的敏感度不同。在线双折射的影响下,偏振相关损耗峰值随起偏角大小呈周期性变化,对磁场测量的灵敏度产生影响,而与磁感应强度的