采用多元胞组合法构建出钝化共掺杂TiO2-B模型,并引入共掺杂原子N+V和C+Cr,对其进行第一性原理的密度泛函理论（density functional theory,DFT）分析。通过对Li+嵌入位点和迁移活化能的计算,确定了Li+低浓度下共掺杂模型中最稳定的嵌入位点,得出N+V和C+Cr共掺杂体系的迁移活化能分别为0.47,0.42eV;对Li+高浓度下嵌入电压进行计算,得出N+V共掺杂嵌入电压为0.830.97V,比C+Cr共掺杂的对应值1.051.27V小,因此N+V共掺杂模型更适合用