引言射频（ＲＦ）滤波器已成为电子系统小型化、集成化及芯片化的瓶颈之一。薄膜体声波谐振器（ＦＢＡＲ）是目前在５００ＭＨｚ～２０ＧＨｚ频段实现高性能滤波器芯片化的重要途径。ＦＢＡＲ是一种基于体声波（ＢＡＷ）的新型电声谐振器，通过压电薄膜的逆压电效应将电能转换成声波并形成谐振。基于测试与性能表征的方法。另外，也未见文献报道低阻硅衬底对ＢＡＷ 滤波器性能的影响。为了表征本课题组研制的Ｌ波段ＢＡＷ 滤波器轮工艺样品的性能，使用射频探针台和矢量网络分析仪（ＶＮＡ）测得其Ｓ 参数。为了从测得的Ｓ参数便捷地计算