我们展示了单层石墨烯在压缩半导体盘激光器中自调Q脉冲方面的首次使用。半导体盘激光器的增益区域使用中心波长为1030 nm的InGaAs量子阱。由于量子阱的自饱和吸收，圆盘激光器以自Q开关状态发射，脉冲宽度为13μs。通过将单层石墨烯作为可饱和吸收剂引入V形激光腔，以300 mW的较低泵浦功率将自脉冲的脉冲宽度压缩至2μs。随着泵浦功率的增加，出现了脉冲宽度为1.8μs的多个脉冲。压缩系数约为7.2。