提出了具有复合掩埋层（CBL）的SOI LDMOS。 CBL由具有Si窗口和两个氧化物台阶的上部掩埋氧化物层（UBOX），多晶硅层和下部掩埋氧化物层（LBOX）组成。 在阻塞状态下，UBOX和LBOX中的电场强度从常规SOI（C-SOI）LDMOS中的掩埋氧化物（BOX）的88 V /μm增加到163 V /μm和460 V /μm。分别位于UBOX和LBOX顶部接口上的Kong。 与C-SOI LDMOS相比，CBL LDMOS将击穿电压从477 V增加到847 V，并将最高温度降低了6 K.