数值研究了具有不同电子阻挡层的InGaN蓝色发光二极管（LED）的性能。 我们比较了LED的模拟发射光谱，电子和空穴浓度，能带图，静电场和内部量子效率。 与其他三种EBL的LED相比，使用AlGaN从0％逐渐增加到20％作为电子阻挡层（EBL）的LED具有很强的光谱强度，减轻了效率下降，并具有更高的输出功率。 这些优点可能是由于较低的电子泄漏电流和更有效的空穴注入。 在大注入电流的情况下，专门设计的LED的光学性能也得到了改善。