提出了一种低导通电阻（Ron，sp）的可积硅绝缘体（SOI）n沟道横向双扩散金属氧化物半导体（LDMOS），并通过仿真研究了其机理。 LDMOS具有两个功能：平面栅极和扩展沟槽栅极（双栅极（DGs））的集成； N漂移区中的掩埋P层，形成三重减小的表面场（RESURF）（TR）结构。 三重RESURF不仅可以调节电场分布，而且还可以增加N漂移掺杂，从而导致截止状态下的比导通电阻（Ron，sp）降低，击穿电压（BV）改善。 DG形成双传导通道，而且，扩展的沟槽栅极扩大了垂直传导面积，这两者都进一步降