基于横向PN结中的载流子耗尽效应，我们演示了具有低插入损耗的高速硅马赫曾德尔调制器（MZM）。 甲1.9分贝片上的插入损耗以及V PI大号PI 2 V.cm分别在MZM与750亩达到<通过适当选择掺杂浓度和精确定位结米长的移相器。 已经证明，高达45-60 Gbit / s的高速调制具有1.6 dB的额外光损耗，表明总插入损耗为3.5 dB。 在50 Gbit / s的比特率下，还实现了7.5 dB的高消光比，可接受的插入损耗为6.5 dB。