这项工作是针对具有纳米Kong结构（NPS）的量子点量子级联检测器（QD-QCD）进行的。 NPS通过使用阳极氧化铝作为掩模的电感耦合等离子体蚀刻在In053Ga047As接触层的顶部制造。 将具有两种不同Kong距的QD-QCD装置与没有NPS的QD-QCD进行了比较。 在垂直入射的情况下，Kong径为125 nm的设备在77 K时的最大响应值为28.7 mA / W，可以在室温下工作，响应率为14.2 mA / W。 与不带NPS的QD-QCD相比，其响应度在77 K时提高了3.6倍，在30