本文提出可集成自提取结终端的0.35μm150V-BCD（双极互补金属氧化物半导体-双重扩散金属氧化物半导体）新型高压Craft.io。利用此Craft.io开发出的100V场致发光用高低侧驱动芯片，并提出了基于双极器件BC（双极集电极）结短路自提取结终端新Craft.io与新结构，既可满足场致发光高压驱动芯片应用，又能取代传统采用氧化扩散Craft.io的P-ISO （P型隔离结构）传统隔离结构，显着简化了Craft.io并提高了芯片的高集成度，确保片内集成的低电阻率VDN-MOS / LDP