采用电感耦合等离子体增强化学气相沉积(ICP-PECVD)技术, 在室温下制备了具有折射率渐变特性的SiO2材料, 并对制备工艺与SiO2材料光学特性之间的关联性进行研究。结合椭圆偏振光谱仪拟合得到的结果, 对基于折射率渐变SiO2材料膜系封装的钙钛矿电池表面的抗反射特性进行模拟后发现, 其抗反射特性优异, 在550 nm处反射率可低至0.5%。本研究为兼顾光学特性的低温钙钛矿电池封装提供了一种可参考的技术方案。