日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出第四代600 V E系列功率MOSFET器件。Vishay Siliconix n沟道SiHH068N60E导通电阻比前一代600 V E系列MOSFET低27 %，为通信、工业和企业级电源应用提供高效解决方案，同时，栅极电荷下降60 %。从而使其栅极电荷与导通电阻乘积在同类器件中达到业内水平，该参数是600 V MOSFET在功率转换应用中的关键指标 (FOM)。 　　本文引用地址：http

Littelfuse, Inc.宣布今日推出双向瞬态抑制二极管阵列（SPA  二极管）系列的首款产品，该系列产品旨在保护高端消费电子产品和可穿戴电子产品免因破坏性静电放电损坏。 SP1333系列中的首款瞬态抑制二极管SP1333-01UTG具有3.3V击穿电压， 采用专有硅雪崩技术，将背对背二极管组合在一起。 这种背对背配置可提供高达±30kV的ESD对称数据线保护，安全吸收反复性ESD震击，同时避免性能减退。 低钳位电压使SP1333系列能够耐受>5A的浪涌电流，为保护的电子设备延长使用