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搜索资源列表

  1. 对半导体pn结接触电势的一个讨论

  2. 讨论了半导体pn结内建电场和接触电势的形成与可测性,回答了在半导体物理学 pn 结内容教学中学 生经常会提出的一个似是而非的问题.从热力学第一定律、金属 - 半导体接触等不同角度详细解释了热平衡 零偏 下时pn结不可能对外输出电压和电流的原因

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2009-07-17
    • 文件大小：201728
    • 提供者：yuzhijun2000

  1. 一举三得：建设太阳能电场同时解决雾霾和荒漠-V17.docx

  2. 通过一个项目来解决我国目前的三大难题：空气污染、沙漠侵袭和电力需求。在西北荒漠上建设太阳能电场，每年持续有计划的建设，经过几十年的建设，最终实现太阳能发电成为全国的主要电力来源，全国范围内全面取消燃煤火力发电。全部建成后太阳能电厂的占地面积约为内蒙古面积的十分之一左右，这个用地面积成本完全在可承受范围内。在荒漠的太阳能电场里进行绿化，模块间种植树木，实现荒漠绿化，最终实现荒漠变林地。荒漠绿化好后，即可将太阳能发电场搬迁到其他荒漠上，再继续进行绿化。燃煤是我国最大的空气污染来源。发电不再用煤，生产

  3. 所属分类：制造

    • 发布日期：2020-05-16
    • 文件大小：36864
    • 提供者：gzl60

  1. 电场感应式料流传感器设计

  2. 针对现有开关式和压力式料流传感器存在易磨损、可靠性差的问题,设计了一种电场感应式料流传感器。该传感器采用内置电场感应式智能芯片作为感应元件监测电场电参数,利用单片机采集和处理电场电参数,通过电参数变化经内部数据处理输出胶带有料、无料信号。现场实验结果表明,该传感器能够准确检测运动或者静止的胶带上有无物料,完全满足现场实际应用的需求,具有非接触检测、无磨损、使用寿命长、信号稳定可靠的特点。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-05-02
    • 文件大小：188416
    • 提供者：weixin_38516386

  1. 带电二维膨胀黑洞中大量带电铁电场的灰体因子

  2. 我们在带电的二维膨胀拉黑洞的背景下研究了大量的带电费米子摄动，并通过解析法求解了狄拉克方程。 然后，我们计算了带电费米子场的反射系数和透射系数以及吸收截面，并且表明吸收截面在低频和高频极限处消失。 但是，在一定频率范围内，吸收截面不为零。 此外，我们研究了铁离子场的质量和电荷对吸收截面的影响。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-04-08
    • 文件大小：514048
    • 提供者：weixin_38544781

  1. 在紧凑空间中打开弦线和电场

  2. 我们分析内部空间中具有背景电场的开弦，T-对偶与内部空间中以恒定速度运动的黄铜。 我们发现，必须对两个圆环内的电场方向（D形速度的两倍）进行量化，以使相应的方向紧凑。 这意味着内部圆环中的D轴运动是周期性的，其周期性在内部半径方面可能在参数上较大。 通过S对偶，将其映射到三个圆环中的内部磁场中，对其进行量子力学分析可得出相似的结果，即与磁场平行的方向必须紧凑。 此外，对于磁性情况，我们发现朗道能级简并性是由磁通数的最大公约数给出的。 我们进行字符串量化，并导出这些模型的相关分区函数。 我们的分析

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-04-07
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38657835

  1. 爱因斯坦-麦克斯韦轴心论：规则电场的达因解

  2. 在爱因斯坦-麦克斯韦轴心理论的框架内，我们考虑静态球对称解决方案，该解决方案描述了在双轴离子环境中的磁性单极子。 这些解决方案被解释为是一种轴向复合材料的轴向离子的解决方案，即，除标准的中心电荷外，它还包括由轴向-光子耦合引起的有效电荷。 我们专注于分析那些以中心规则电场为特征的解决方案。 尤其需要注意的是，电场在中心消失，并且具有库仑渐近线，因此在某个较远的球体上显示极值，因此特别注意这些解决方案。 讨论了这种物体的电和有效标量电荷的约束。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-04-05
    • 文件大小：730112
    • 提供者：weixin_38693192

  1. 通过动力学方程恢复朗道能级的热和稠密夸克物质在电场中的电导率

  2. 我们计算了在超过最低朗道能级近似值的磁场B下，在有限温度T下夸克物质的电导率和夸克化学势μ。 垂直于B的电导率由霍尔电导率σH决定。 对于纵向电导率σ∥，我们需要求解动力学方程。 然后，从数值上我们发现σ∥对μ和夸克质量mq的依赖性很小。 而且，σB首先减小，然后随B线性增加，导致中间的B区域看起来与手性磁效应的实验特征一致。 我们还指出，非零B处的σ∥保持在B = 0处的点阵QCD估计范围内。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-04-05
    • 文件大小：310272
    • 提供者：weixin_38583278

  1. 锥内过渡对狄拉克半金属中磁导率的影响

  2. 我们研究了在库仑杂质存在下小质量的费米子的迁移，这可以在稍微变形的狄拉克半金属中实现。 使用半经典的玻尔兹曼方程，我们得出了两种圆锥内过渡过程的弛豫时间。 一种是由于质量的影响，另一种是由于弱磁场下朗道能级的激发态。 因此，在存在平行电场和磁场的情况下，我们得出了纵向磁导率的质量依赖性和磁场依赖性。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-03-27
    • 文件大小：683008
    • 提供者：weixin_38514660

  1. 通过Noether对称的具有铁电场的Teleparallel暗能量模型

  2. 在当前的工作中，我们考虑一个模型，该模型具有一个在远平行重力框架内非最小耦合至重力的费米离子场。 为了确定所考虑模型的耦合形式和铁电场的势函数，我们使用Noether对称方法。 通过采用这种方法，对于弗里德曼-罗伯逊-沃克度量，我们获得了各自的势和耦合函数，作为双线性Ψ的线性和幂律形式。 此外，我们搜寻

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-03-23
    • 文件大小：222208
    • 提供者：weixin_38750829

  1. Cu + Au碰撞中的电场和手性磁效应

  2. 非中心的Cu + Au碰撞会产生强的面外磁场和面内电场。 通过使用HIJING模型，我们研究了200 GeV的Cu + Au碰撞中的电磁场的一般性质及其对电荷依赖的两粒子相关因子γq1q2= coscos（Ï•1 +Ï• 2ˆ2RP）Œª（定义见正文），用于检测手性磁效应（CME）。 与Au + Au碰撞相比，我们发现面内电

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-03-21
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38628429

  1. 破碎电路板高压静电分选电场分布的计算机模拟

  2. 破碎电路板高压静电分选电场分布的计算机模拟，刘淑舒，李佳，为了开发破碎电路板的无污染、高效的高压静电分选技术，本文根据高压静电理论，利用MATLAB软件模拟了高压静电分选机内的电场分布，

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-01-01
    • 文件大小：697344
    • 提供者：weixin_38612437

  1. 金半接触电场分布及其随外压变化

  2. 利用肖特基模型，定性、定量分析了金属功函数作用下的内建电场在势垒区的分布规律，并介绍了外加电压变化时，其变化规律

  3. 所属分类：教育

    • 发布日期：2015-10-22
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：qq_32210887

  1. 恒定电流和恒定电场

  2. 讨论因电荷的有规则移动而形成 的电流，以及与之相应的电场和在导体 内形成不随时间而变化的恒定电流的条 件，着重从场的观点阐明电流遵循的基 本规律。

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2013-09-24
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：u012232171

  1. NEC成功开发出业内最小的光纤电场探针

  2. NEC公司宣布成功开发出业内最小的光纤电场探针。该产品由一个光学纤维和一个在边缘上成形的电-光膜构成，可作为电场的传感器。由于其侧面尺寸约为接近于光纤直径的125μm，因此这种探针可插入到很窄的空间中，如BGA LSI封装和PCB之间的缝隙内，从而能够用于评估PCB上高密度封装电路的电气特性。利用该探针可以实现高密度电子封装中低噪声/低EMI电路的电气设计。     此外，该产品还具有高灵敏度，由于在光纤边缘上采用电-光膜、PZT膜，这种结构由高密度的小颗粒聚合而成，其尺寸约为数十纳米，因此

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-27
    • 文件大小：31744
    • 提供者：weixin_38746926

  1. 具有强内置电场的InGaN / GaN应变量子阱中的非局部光学性质

  2. 具有强内置电场的InGaN / GaN应变量子阱中的非局部光学性质

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-18
    • 文件大小：731136
    • 提供者：weixin_38715831

  1. 具有强内置电场的InGaN / GaN应变量子阱中的非局部光学性质

  2. 具有强内置电场的InGaN / GaN应变量子阱中的非局部光学性质

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-18
    • 文件大小：845824
    • 提供者：weixin_38626179

  1. 光伏电场对大容量体全息存储的影响与抑制

  2. Fe:LiNbO3晶体有很强的光伏效应.通过理论分析和实验验证,在全息存储过程中,光伏效应会在晶体表面产生非均匀的光伏直流电场,它不仅降低了材料的动态范围,并且引起了Bragg失配,使得再现图像失真.消除光伏直流电场的方法是使用电解质溶液短路晶体表面电荷.采用这种方法,在晶体一个公共区域内,可存储1000幅能够清晰再现的全息图像.

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-05
    • 文件大小：882688
    • 提供者：weixin_38611796

  1. 电磁波在多层介质内的透射

  2. 推导了多层介质中透射电磁波的电场振幅与介质表面入射电磁波电场振幅之间的关系式，引入了一个母函数，通过微分可以生成介质各层中的透射波。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-05
    • 文件大小：947200
    • 提供者：weixin_38670983

  1. 电光调制式瞬态电场传感器研究综述

  2. 电光调制式电场传感器具有体积小、频带宽、抗干扰能力强、对被测电场扰动小等优点,可用于复杂电磁环境下尤其是小空间内的瞬态电场测试。分类介绍了现有电光调制式瞬态电场传感器的传感机理和发展情况,有助于今后开展相关研究工作。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-24
    • 文件大小：160768
    • 提供者：weixin_38644168

  1. 纤锌矿GaN / AlGaN量子阱中的势垒宽度和内置电场对氢杂质的影响

  2. 基于有效质量近似，通过变分方法研究了栅栏宽度和内建电场对纤锌矿（WZ）GaN / AlGaN量子阱（QW）中氢杂质的施主结合能的影响。 数值结果表明，随着WZ GaN / AlGaN QW势垒宽度的增加，阱层内部的内置电场强度增加，然后保持恒定。 而且，对于任何杂质情况，在具有较大势垒宽度的QW中，供体结合能对势垒宽度的变化都不敏感。 另外，还可以发现，当Al组成增加时，对于位于QW的右侧内部的杂质，施主结合能增加。 但是，对于位于QW中心和左侧的杂质，供体的结合能会略有下降。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-24
    • 文件大小：279552
    • 提供者：weixin_38684976
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