注册会员 | 设为首页 | 加入收藏夹
您好，欢迎光临本网站！[请登录] ！[注册会员]！  

搜索资源列表

  1. 单片机应用技术选编（7）

  2. 内容简介 　　 《单片机应用技术选编》(7) 选编了1998年国内50种科技期刊中有关单片机开发应用的文 章共510篇，其中全文编入的有113篇，摘要编入的397篇。全书共分八章，即单片机综合 应用技术；智能仪表与测试技术；网络、通信与数据传输；可靠性与抗干扰技术；控制系统 与功率接口技术；电源技术；实用设计；文章摘要。 　　 本书具有重要实用价值，书中介绍的新技术、新器件以及单片机应用系统的软、硬件资 料有助于减少产品研制过程中的重复性劳动，提高单片机应用技术水平，是从事单片机应用 开发技

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2010-05-19
    • 文件大小：13631488
    • 提供者：zgraeae

  1. 非易失性存储器FeRAM、MRAM和OUM

  2. 本文对目前几种比较有竞争力和发展潜力的新型非易失性存储器做了一个简单的介绍。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-23
    • 文件大小：144384
    • 提供者：weixin_38685831

  1. 一种新型非易失性存储器的原理及应用

  2. 纵观目前低容量并行接口的非易失存储器市场，EEPROM、FRAM、SRAM+BAKBAT方式等占据了市场主流，其中EEPROM的供应厂家很多，其中以ATMEL，ST等厂家占主导地位，FRAM只有美国RAMTRON公司一技独秀，而采用SRAM+BAKBAT方式的厂家，目前DALLAS占据了大部分市场空间，国内也有几家公司提供类似产品，其中比较知名的如HK等。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-24
    • 文件大小：115712
    • 提供者：weixin_38703823

  1. 非易失性存储器FeRAM、MRAM和OUM

  2. 本文对目前几种比较有竞争力和发展潜力的新型非易失性存储器做了一个简单的介绍。 　　铁电存储器(FeRAM) 　　铁电存储器是一种在断电时不会丢失内容的非易失存储器，具有高速、高密度、低功耗和抗辐射等优点。 当前应用于存储器的铁电材料主要有钙钛矿结构系列，包括PbZr1-xTixO3，SrBi2Ti2O9和Bi4-xLaxTi3O12等。铁电存储器的存储原理是基于铁电材料的高介电常数和铁电极化特性，按工作模式可以分为破坏性读出(DRO)和非破坏性读出(NDRO)。DRO模式是利用铁电薄膜的电容

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-06
    • 文件大小：135168
    • 提供者：weixin_38503496

  1. 几种新型非易失性存储器

  2. 引 言 　　更高密度、更大带宽、更低功耗、更短延迟时问、更低成本和更高可靠性是存储器设计和制造者追求的永恒目标。根据这一目标，人们研究各种存储技术，以满足应用的需求。本文对目前几种比较有竞争力和发展潜力的新型非易失性存储器做了一个简单的介绍。 　　铁电存储器(FeRAM) 　　铁电存储器是一种在断电时不会丢失内容的非易失存储器，具有高速、高密度、低功耗和抗辐射等优点。 当前应用于存储器的铁电材料主要有钙钛矿结构系列，包括PbZr1-xTixO3，SrBi2Ti2O9和Bi4-xLaxT

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-22
    • 文件大小：131072
    • 提供者：weixin_38690376

  1. Cypress 新型I2C端口扩展器IC

  2. 赛普拉斯半导体公司（Cypress Semiconductor Corp.）于近日宣布推出三款新型I2C端口扩展器，这些器件把所有的用户设置均存储于非易失性存储器之中，从而免除了在每次给电后要对器件重新配置的需要。这几款器件提供了多达60个输入/输出（I/O），这是业界的最高水平，而且，与竞争器件相比，它们所提供的脉宽调制器（PWM）和I2C可存取式EEPROM存储器的数量也更多。这些器件非常适合于包括计算、通信和工业在内的众多应用，并且专为端口扩展进行了优化，无需实施用户编程。 　　 　　赛普

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：63488
    • 提供者：weixin_38674512

  1. 铁电存储器在仪表中的应用

  2. 摘要：FRAM 是一种新型存贮器，最大特点是可以随总线速度无限次的擦写，而且功耗低。FRAM性能优越于EEPROM  AT24C256。     关键词：存贮器；FM24C256；AT24C256；EEPROM     一． 概述：      FRAM是最近几年由RAMTRON公司研制的新型存贮器，它的核心技术是铁电晶体材料，拥有随即存取记忆体和非易失性存贮产品的特性。FM24C256是一种铁电存贮器（FRAM）,容量为256KBIT存贮器，它和AT24C256容量等同，总线结构兼容，但

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-13
    • 文件大小：72704
    • 提供者：weixin_38694141