内容简介 　　 《单片机应用技术选编》(7) 选编了1998年国内50种科技期刊中有关单片机开发应用的文 章共510篇，其中全文编入的有113篇，摘要编入的397篇。全书共分八章，即单片机综合 应用技术；智能仪表与测试技术；网络、通信与数据传输；可靠性与抗干扰技术；控制系统 与功率接口技术；电源技术；实用设计；文章摘要。 　　 本书具有重要实用价值，书中介绍的新技术、新器件以及单片机应用系统的软、硬件资 料有助于减少产品研制过程中的重复性劳动，提高单片机应用技术水平，是从事单片机应用 开发技

驱动电路就是将控制电路输出的PWM信号进行功率放大， 以满足驱动IGBT的要求， 所以， 驱动电路设计的是否合理直接关系到IGBT的安全、可靠使用。为了确保驱动电路设计的合理性， 使用时必须分析驱动电路中的参数。

0 引言 　　IGBT 即绝缘门极双极型晶体管( IsolatedGate Bipolar Transistor)， 这是八十年代末九十年代初迅速发展起来的一种新型复合器件。由于它将MOSFET和GTR的优点集于一身， 具有输入阻抗高、速度快、热稳定性好、电压驱动(MOSFET的优点)， 同时通态压降较低， 可以向高电压、大电流方向发展(GTR的优点)。因此， IGBT发展很快， 特别是在开关频率大于1kHz， 功率大于5kW的应用场合具有很大优势。在全桥逆变电路中， IGBT是核心器件， 它

0 引言 　　IGBT 即绝缘门极双极型晶体管( IsolatedGate Bipolar Transistor)， 这是八十年代末九十年代初迅速发展起来的一种新型复合器件。由于它将MOSFET和GTR的优点集于一身， 具有输入阻抗高、速度快、热稳定性好、电压驱动(MOSFET的优点)， 同时通态压降较低， 可以向高电压、大电流方向发展(GTR的优点)。因此， IGBT发展很快， 特别是在开关频率大于1kHz， 功率大于5kW的应用场合具有很大优势。在全桥逆变电路中， IGBT是器件， 它可在