我们探索在拓扑上扭曲的N = 2 $$ \ mathcal {N} = 2 $$在S 2 $$上的Chern-Simons物质理论（TTCSM）的路径积分-在厄密（非辅助）场配置的轮廓上 {\ mathbb {S}} _ 2 $$乘以一个细分。 通过这种方式，我们获得了3D拓扑扭曲索引的公式，首先是TTCSM在S 2 $$ {\ mathbb {S}} _ 2 $$上乘以S 1 $$ {\ mathbb {S}}的一半的卷积 _1 $$，第二个作为S 2 $$的TTCSM，第二个为TTCSM在S