IGBT绝缘栅双极型晶体管是一种典型的双极MOS复合型功率器件。它结合功率MOSFET的工艺技术，将功率MOSFET和功率管GTR集成在同一个芯片中。该器件具有开关频率高、输入阻抗较大、热稳定性好、驱动电路简单、低饱和电压及大电流等特性，被作为功率器件广泛应用于工业控制、电力电子系统等领域（例如：伺服电机的调速、变频电源）。为使我们设计的系统能够更安全、更可靠的工作，对IGBT的保护显得尤为重要。 　　目前，在使用和设计IGBT的过程中，基本上都是采用粗放式的设计模式--所需余量较大，系统庞大

IGBT绝缘栅双极型晶体管是一种典型的双极MOS复合型功率器件。它结合功率MOSFET的工艺技术，将功率MOSFET和功率管GTR集成在同一个芯片中。该器件具有开关频率高、输入阻抗较大、热稳定性好、驱动电路简单、低饱和电压及大电流等特性，被作为功率器件广泛应用于工业控制、电力电子系统等领域（例如：伺服电机的调速、变频电源）。为使我们设计的系统能够更安全、更可靠的工作，对IGBT的保护显得尤为重要。 　　目前，在使用和设计IGBT的过程中，基本上都是采用粗放式的设计模式--所需余量较大，系统庞大