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搜索资源列表

  1. 集成电路工艺之－刻蚀工艺

  2. 刻蚀工艺集成电路工艺之－刻蚀工艺集成电路工艺之－刻蚀工艺集成电路工艺之－刻蚀工艺

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2009-12-23
    • 文件大小：683008
    • 提供者：godttang

  1. MEMS_制造中反应离子刻蚀工艺的模型及仿真

  2. MEMS_制造中反应离子刻蚀工艺的模型及仿真,反应离子刻蚀(RIE)的二维物理模型,包括各向同性和各向异性 两部分.该速率公式的参数由实验提取,随RIE工艺参数而变化

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2018-10-23
    • 文件大小：286720
    • 提供者：duanyu1992

  1. LED刻蚀工艺介绍（图）.pdf

  2. 1、基本介绍2、湿法刻蚀3、干法刻蚀4、刻蚀工艺

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-05
    • 文件大小：733184
    • 提供者：weixin_38743481

  1. 6H-SiC衬底ICP图形化刻蚀技术研究

  2. 6H-SiC衬底ICP图形化刻蚀技术研究，韩铭浩，申人升，通过电子束蒸发设备，在6H-SiC单晶衬底上蒸镀金属Ni做为掩膜图形，利用光刻技术获得图形化Ni掩膜。采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀工艺

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-03-12
    • 文件大小：493568
    • 提供者：weixin_38705762

  1. 微流控器件的刻蚀工艺试验

  2. 微流控器件的刻蚀工艺试验，傅新，谢海波，以氢氟酸作为主要刻蚀剂，选用不同成分的添加剂（氟化铵、硝酸、盐酸、浓硫酸等）按不同比例调配成刻蚀液，进行对比性实验，研究

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-27
    • 文件大小：454656
    • 提供者：weixin_38600460

  1. 光刻与刻蚀工艺.ppt

  2. “光刻”是指在涂满光刻胶的晶圆（或者叫硅片）上盖上事先做好的光刻板，然后用紫外线隔着光刻板对晶圆进行一定时间的照射。原理就是利用紫外线使部分光刻胶变质，易于腐蚀。 “刻蚀”是光刻后，用腐蚀液将变质的那部分光刻胶腐蚀掉（正胶），晶圆表面就显出半导体器件及其连接的图形。然后用另一种腐蚀液对晶圆腐蚀，形成半导体器件及其电路。

  3. 所属分类：电信

    • 发布日期：2019-08-21
    • 文件大小：10485760
    • 提供者：ranee_

  1. 硅基反铁电湿法刻蚀工艺研究

  2. 介绍了一种基于硅基的反铁电材料的湿法刻蚀工艺研究

  3. 所属分类：教育

    • 发布日期：2012-10-21
    • 文件大小：14680064
    • 提供者：qming123456789

  1. 二氧化硅的干法刻蚀工艺研究

  2. 不同工艺条件 对应的刻蚀速率、均匀性、选择比等刻蚀参数

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2010-11-25
    • 文件大小：321536
    • 提供者：cwt0229

  1. 基于CMOS-MEMS工艺的高深宽比体硅刻蚀方法的研究

  2. 为了满足提高MEMS传感器阵列的集成度和精度以及降低成本等需求，对高深宽比的体硅深槽刻蚀方法进行研究。在一种小尺寸、高集成度的MEMS传感器阵列的制造中，需要加工一种深宽比为25 μm/0.8 μm的隔离深槽，并且为了便于MEMS传感器和CMOS集成电路的集成，需要采用COMS工艺兼容的MEMS工艺。为此，采用了RIE、Bosch工艺以及RIE和Bosch工艺结合的3种方法进行深槽刻蚀工艺的探索，并最终采用RIE和Bosch工艺结合的方法获得槽侧壁非常光滑的深槽形貌。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-15
    • 文件大小：689152
    • 提供者：weixin_38562085

  1. 集成电路制造工艺之光刻与刻蚀工艺.ppt

  2. 集成电路制造工艺之光刻与刻蚀工艺，

  3. 所属分类：嵌入式

    • 发布日期：2020-10-12
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_43802393

  1. 显示/光电技术中的波导SOl刻蚀工艺特点

  2. 刻蚀即通过物理或化学的方法去除非光刻胶或硬掩膜覆盖区域的材料。通常有两种方法，分别为干法刻蚀和湿法刻蚀，它们各有优缺点。但对于工艺灵活性、刻蚀精确度和可重复性等方面来说，干法刻蚀居主导地位。 　　对于SOl波导（尤其是矩形单模波导）或者光子晶体的制作来说，由于其波导尺寸极小（波长量级），在波导壁也具有较多光场分布，这时刻蚀工艺对波导传输损耗的影响就相当大了，所以这种小尺寸波导的刻蚀工艺需要严格控制其侧壁粗糙度，使其尽量光滑，以使其光损耗尽量减小。减小波导侧壁粗糙度的具体方法可参考波导损耗一节。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-13
    • 文件大小：36864
    • 提供者：weixin_38528680

  1. 光学材料的干法刻蚀研究

  2. 摘 要：本文对化学材料二氧化硅的干法刻蚀工艺进行研究，运用反应离子刻蚀设备对二氧化硅进行了刻蚀实验，通过对不同工艺条件下二氧化硅的刻蚀速 率、均匀性等参数对比，最终得出了二氧化硅等同类光学材料最佳的干法刻蚀 工艺条件。

  3. 所属分类：制造

    • 发布日期：2020-12-22
    • 文件大小：51200
    • 提供者：jfkj2021

  1. SiC基芯片背面通孔刻蚀工艺研究

  2. 通过对感应耦合等离子体(ICP)设备装片夹具进行改进，提高了背氦的导热效率，减小了下电极基底与晶圆表面之间的温度差，提高了冷却效果。对装片夹具改进前后进行了对比实验，并分析了射频功率、ICP功率、下电极基底温度、腔室压力等参数对SiC背面通孔的刻蚀速率、选择比、倾斜角及侧壁光滑度的影响。通过装片夹具改进及工艺条件优化，开发出刻蚀速率为1μm/min、SiC与Ni的选择比大于60∶1、倾斜角小于85°、侧壁光滑的SiC通孔工艺条件，可用于SiC基GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)、SiC金属半导

  3. 所属分类：制造

    • 发布日期：2020-12-21
    • 文件大小：772096
    • 提供者：jfkj2021

  1. 碳化硅( SiC) 器件制造工艺中的干法刻蚀技术

  2. 摘要：简述了在SiC材料半导体器件制造工艺中,对SiC材料采用干法刻蚀工艺的必要性.总结了近年来SiC干法刻蚀技术的工艺发展状况.

  3. 所属分类：制造

    • 发布日期：2020-12-30
    • 文件大小：220160
    • 提供者：jfkj2021

  1. 半导体设备行业投资报告：芯片制造工艺流程拆分，薄膜工艺，刻蚀工艺，光刻工艺，清洗工艺

  2. 半导体行业存在周期性，主要受两个因素影响，宏观经济和技术革新。1）宏观经济变化影响人们消费能力和意愿，通过下游市场需求影响整个行业景气 度；2）技术革新通过刺激下游消费意愿甚至强制改变市场格局。以2020年为锚，5G商用化、数据中心、物联网、智慧城市、汽车电子等一系列新技术 及市场需求做驱动，给予半导体行业新的动能。 半导体设备对行业周期变化敏感，行业周期性变化必然伴随产能的增减和产品的迭代。产能变化对应设备数量的变化，工艺变化对应设备的迭代，新一 轮增长周期有望带动设备需求。集成电路产业链主要

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-23
    • 文件大小：5242880
    • 提供者：weixin_38590456

  1. ICP刻蚀优化及在多波长分布反馈式激光器阵列中的应用

  2. 研究了CH4/H2/Cl2感应耦合等离子体刻蚀技术中的关键工艺参数对刻蚀性能的影响。通过对CH4/H2/Cl2气体流量及流量比的优化，在自行设计的InP/InGaAlAs多量子阱结构的外延片上，实现了一种高速低损耗、形貌良好的Bragg光栅制作方法。基于优化后的工艺参数制作了多周期结构的λ/4相移光栅，实现了单片集成的四波长1.3 μm分布反馈式激光器阵列。该激光器阵列中激光器的阈值电流典型值为11 mA，外微分效率可达0.40 W/A，且实现了边摸抑制比大于46 dB的稳定的单纵模激光输出。研

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-07
    • 文件大小：4194304
    • 提供者：weixin_38606466

  1. 半导体光刻蚀工艺

  2. 半导体光刻蚀工艺

  3. 所属分类：制造

    • 发布日期：2021-02-05
    • 文件大小：50331648
    • 提供者：jfkj2021

  1. 光刻中刻蚀工艺特点.doc

  2. 光刻中刻蚀工艺特点.doc

  3. 所属分类：制造

    • 发布日期：2021-02-03
    • 文件大小：18432
    • 提供者：jfkj2021

  1. 基于飞秒激光的覆铜板刻蚀工艺

  2. 针对传统电路板集成方式的局限性,提出基于飞秒激光的覆铜板线路成形技术。采用飞秒激光对覆铜板进行单因素实验和正交实验,结果表明,在激光功率、频率、扫描速度、扫描次数以及离焦量等因素中,扫描次数对刻蚀深度和表面粗糙度的影响最大,激光频率的影响最小;采用优化后的激光参数进行刻蚀,可以将表面铜层完全除去,得到高质量的刻蚀区域而不伤及底层基材。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-26
    • 文件大小：6291456
    • 提供者：weixin_38698943

  1. 基于无掩模光刻的高精度ITO电极湿法刻蚀工艺研究

  2. 氧化铟锡(ITO)导电膜具有电阻率低、透光性好、耐高温等优点,在光电领域具有重要应用。现有加工方法得到的ITO电极尺寸一般为10~200 μm,这限制了ITO电极在微纳领域的应用,为解决此限制,在传统湿法刻蚀方法的基础上,利用无掩模光刻技术对ITO玻璃表面光刻胶进行高精度曝光,再通过优化曝光、显影及刻蚀等过程,最终加工出尺寸仅为2 μm的电极。所提方法所加工的电极具有线性度高、无钻蚀、误差小等优点,为ITO电极在微纳领域应用开发提供了有现实意义的参考。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-26
    • 文件大小：5242880
    • 提供者：weixin_38529239
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