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功率器件的散热计算及散热器选择
功率器件的散热计算及散热器选择
所属分类:
机器学习
发布日期:2017-06-16
文件大小:18874368
提供者:
qdlysports
模拟功率器件型号速查手册
瑞萨公司的模拟功率器件型号速查手册,包括二极管三极管,接口IC等
所属分类:
硬件开发
发布日期:2018-03-09
文件大小:3145728
提供者:
wuxiaoluo
矿用隔爆型变频器功率器件热损计算及散热设计
提出了一种适用于矿用隔爆型变频器功率器件热损的计算方法,为矿用隔爆型变频器散热系统的设计提供了理论依据。同时针对矿用变频器的特殊性,设计了一种热管散热器配间歇性风冷的散热系统,通过理论计算及实验结果对比证明此方法实用可行。
所属分类:
其它
发布日期:2020-05-12
文件大小:452608
提供者:
weixin_38647925
有源箝位型三电平变频器功率器件损耗分析
针对传统中点箝位型三电平变频器运行过程中存在功率器件损耗分布不均匀问题,介绍了有源箝位型三电平拓扑的工作原理和基本调制策略,分析了有源箝位型三电平变频器的损耗特性。有源箝位型三电平拓扑使用双向功率器件取代传统中点箝位型三电平中的箝位二极管,通过选择恰当的零电压状态组合,可实现功率器件损耗均衡的目的。仿真结果表明,在各种典型工作状态下,相比于中点箝位型三电平拓扑,有源箝位型拓扑可更好地平衡功率器件内外管损耗,提升了变频器容量。
所属分类:
其它
发布日期:2020-05-09
文件大小:644096
提供者:
weixin_38616809
威柏电子通用变频器功率器件解决方案.pdf
威柏电子通用变频器功率器件解决方案pdf,威柏电子通用变频器功率器件解决方案
所属分类:
其它
发布日期:2019-10-13
文件大小:807936
提供者:
weixin_38744270
电子设备中高功率器件的强迫风冷散热设计资料.rar
电子设备中高功率器件的强迫风冷散热设计资料rar,电子设备中高功率器件的强迫风冷散热设计资料
所属分类:
其它
发布日期:2019-09-19
文件大小:100352
提供者:
weixin_38744153
功率器件概述
涉及功率器件各个方面,MOS、IGBT的工作机理与历史回顾
所属分类:
制造
发布日期:2014-07-25
文件大小:1048576
提供者:
wxunyang
高压高可靠性VDMOS功率器件钝化膜工艺研究
高压高可靠性VDMOS功率器件钝化膜工艺研究
所属分类:
其它
发布日期:2014-05-28
文件大小:265216
提供者:
pangzhipengnum1
功率器件热设计\功率器件热设计及散热器的优化设计
功率器件热设计\功率器件热设计及散热器的优化设计
所属分类:
硬件开发
发布日期:2012-09-25
文件大小:240640
提供者:
jams2607
功率器件热设计及散热计算
功率器件热设计及散热计算,对您应该有帮助
所属分类:
硬件开发
发布日期:2012-08-03
文件大小:72704
提供者:
zhaolei8_8
电子设备中高功率器件的强迫风冷散热设计
:针对电子设备中高功率器件的热设计问题,介绍了一种实用的强迫风冷散热设计方法。并以某 发射机的强迫风冷散热设计为例,详细阐述了此方法的设计计算过程,给出了强迫风冷系统合理的设计 结果。
所属分类:
专业指导
发布日期:2010-12-08
文件大小:140288
提供者:
ninefly
矿用变频器功率器件选型及其驱动保护设计
分析了煤矿井下设备对变频器功率器件IGBT的需求和在IGBT选型时需要考虑的电气参数,介绍了基于2SD315模块的IGBT驱动保护电路的设计。实际应用表明,采用文中介绍的方法选用的IGBT和设计的驱动保护电路后,变频器运行稳定,IGBT驱动有效,保护完善。
所属分类:
其它
发布日期:2020-07-17
文件大小:97280
提供者:
weixin_38683721
功率器件MOSFET开关过程大揭秘
功率器件MOSFET作为一种在开关电源新产品研发过程中不可或缺的重要元件,历来是新人工程师开始接触电源设计时的学习重点之一,而弄清楚MOSFET的导通和关断过程则是重中之重。本文将会就功率MOSFET的导通和关断过程进行详细分析和总结。
所属分类:
其它
发布日期:2020-07-23
文件大小:67584
提供者:
weixin_38737635
论功率器件与雾霾的关系
在环境问题日益突出,可再生能源不断耗尽的大背景下,绿色能源及高能效成为了当今社会主流趋势,功率器件作为决定产品能效的重要半导体元件,其技术发展相当引人关注,而中国功率器件市场由于中国政府大项目的带动,有蓬勃发展的势头。
所属分类:
其它
发布日期:2020-07-22
文件大小:78848
提供者:
weixin_38499336
完全自保护MOSFET功率器件分析
为了提高系统可靠性并降低保修成本,设计人员在功率器件中加入故障保护电路,以免器件发生故障,避免对电子系统造成高代价的损害。这通常利用外部传感器、分立电路和软件来实现,但是在更多情况下,设计人员使用完全自保护的MOSFET功率器件来完成。
所属分类:
其它
发布日期:2020-07-21
文件大小:88064
提供者:
weixin_38702417
隔离驱动IGBT等功率器件的设计技巧
本文主要介绍了有关隔离驱动IGBT等功率器件的设计技巧。
所属分类:
其它
发布日期:2020-07-21
文件大小:69632
提供者:
weixin_38680492
【功率器件心得分享】功率器件在Boost电路中的应用
风能、太阳能等新能源均需经过电力电子变换才能接入电网,随着新能源发电量的逐年攀升,市场对电力电子变换器的要求朝着大功率、高频率、低损耗的方向快步前进。作为传统电力电子变换的开关器件,Si IGBT已难以满足需求,而新型半导体器件SiC MOSFET具有更好的性能,被普遍认为是新一代的功率器件。
所属分类:
其它
发布日期:2020-07-18
文件大小:70656
提供者:
weixin_38750999
【功率器件心得分享】+GaN与SiC新型功率器件
1 GaN 功率管的发展微波功率器件近年来已经从硅双极型晶体管、场效应管以及在移动通信领域被广泛应用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮镓 ( GaN ) 为代表的宽禁带功率管过渡。SiC、GaN 材料,由于具有宽带隙、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等突出优点,与刚石等半导体材料一起,被誉为是继第一代 Ge、Si 半导体材料、第二代 GaAs、InP 化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。 在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。SiC 功率器件在 C 波段
所属分类:
其它
发布日期:2020-07-18
文件大小:66560
提供者:
weixin_38665804
功率器件心得——功率MOSFET心得
功率放大电路是一种以输出较大功率为目的的放大电路。因此,要求同时输出较大的电压和电流。管子工作在接近极限状态。一般直接驱动负载,带载能力要强。 功率MOSFET是较常使用的一类功率器件。它是由金属、氧化物(SiO2或SiN)及半导体三种材料制成的器件。
所属分类:
其它
发布日期:2020-07-18
文件大小:78848
提供者:
weixin_38722329
隔离驱动IGBT等功率器件所需要的一些技巧
在电力转换器,电机驱动,太阳能和风力发电等系统的应用上,所有这些保护功能都是重要的,因它确保这些系统能安全和稳定的操作。另外,能把握如何正确的选用,设计这些光耦栅极驱动器来有效的使用/控制这些功能使到整个系统更简单,高效,可靠,是系统设计工程师不可或缺的技能。因此文章以问答的形式介绍了隔离驱动IGBT和PowerMOSFET等功率器件所需要的一些技巧。
所属分类:
其它
发布日期:2020-07-27
文件大小:76800
提供者:
weixin_38641896
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