注册会员 | 设为首页 | 加入收藏夹
您好，欢迎光临本网站！[请登录] ！[注册会员]！  

搜索资源列表

  1. 现代直流伺服控制技术及其系统设计

  2. 现代直流伺服控制技术及其系统设计 目 录 代序言 前 言 第1章 绪论 1直流伺服控制技术的发展 2现代直流PWM伺服驱动技术的发展 2.1国内外发展概况 2.2直流PWM伺服驱动装置的工作 原理和特点 2.3功率控制元件的应用及控制 电路集成化 2.4PWM系统发展中待研究的 问题 3现代伺服控制技术展望 第2章 不可逆直流PWM系统 1无制动状态的不可逆PWM系统 1.1电流连续时PWM系统控制特 性 分析 1.2电流断续时PWM系统控制特性 分析 2带制动回路的不可逆PWM 系统 第3章

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2009-10-14
    • 文件大小：13631488
    • 提供者：fdcp123

  1. IGBT模块的工作原理 特性及注意事项

  2. 摘要：绝缘栅双极型晶体管（IGBT）输入阻抗高、开关速度快、热稳定性能好、饱和压降低、驱动功率小、驱动电路简单、耐压高和容量大，集合了 MOSFET 和 GTR 的优点，广泛应用于电子设备以及农业机械领域。通过对IGBT 模块的工作原理、特性以及相关注意事项进行研究，以加深对 IGBT 模块的了解，促进其在实际工作的推广使用

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2010-05-11
    • 文件大小：311296
    • 提供者：yahstone

  1. 功率晶体管（GTR）的特性

  2. 功率晶体管（GTR）具有控制方便、开关时间短、通态压降低、高频特性好、安全工作区宽等优点。但存在二次击穿问题和耐压难以提高的缺点，阻碍它的进一步发展。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-15
    • 文件大小：143360
    • 提供者：weixin_38701407

  1. 电力晶体管GTR的开关特性详解

  2. 电力晶体管gtr简介 电力晶体管是一种双极型大功率高反压晶体管，由于其功率非常大，所以，它又被称作为巨型晶体管，简称GTR。GTR是由三层半导体材料两个PN结组成的，三层半导体材料的结构形式可以是PNP，也可以是NPN。大多数双极型功率晶体管是在重掺质的N+硅衬底上，用外延生长法在N+上生长一层N漂移层，然后在漂移层上扩散P基区，接着扩散N+发射区，因之称为三重扩散。基极与发射极在一个平面上做成叉指型以减少电流集中和提高器件电流处理能力。 GTR分为NPN型和PNP型两类，又有单管GTR、达

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-13
    • 文件大小：131072
    • 提供者：weixin_38526780

  1. 电源技术中的简述IGBT保护电路设计中必知问题

  2. 1 引言 　　IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-22
    • 文件大小：167936
    • 提供者：weixin_38736562

  1. 创新方法优化IGBT电路保护

  2. IGBT绝缘栅双极型晶体管是一种典型的双极MOS复合型功率器件。它结合功率MOSFET的工艺技术，将功率MOSFET和功率管GTR集成在同一个芯片中。该器件具有开关频率高、输入阻抗较大、热稳定性好、驱动电路简单、低饱和电压及大电流等特性，被作为功率器件广泛应用于工业控制、电力电子系统等领域（例如：伺服电机的调速、变频电源）。为使我们设计的系统能够更安全、更可靠的工作，对IGBT的保护显得尤为重要。 　　目前，在使用和设计IGBT的过程中，基本上都是采用粗放式的设计模式--所需余量较大，系统庞大

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-21
    • 文件大小：143360
    • 提供者：weixin_38692836

  1. 元器件应用中的新型IGBT系统电路保护设计的解决方案

  2. IGBT绝缘栅双极型晶体管是一种典型的双极MOS复合型功率器件。它结合功率MOSFET的工艺技术，将功率MOSFET和功率管GTR集成在同一个芯片中。该器件具有开关频率高、输入阻抗较大、热稳定性好、驱动电路简单、低饱和电压及大电流等特性，被作为功率器件广泛应用于工业控制、电力电子系统等领域（例如：伺服电机的调速、变频电源）。为使我们设计的系统能够更安全、更可靠的工作，对IGBT的保护显得尤为重要。 　　 　　目前，在使用和设计IGBT的过程中，基本上都是采用粗放式的设计模式--所需余量较大，

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-20
    • 文件大小：158720
    • 提供者：weixin_38729022

  1. 创新方法优化IGBT电路保护

  2. IGBT绝缘栅双极型晶体管是一种典型的双极MOS复合型功率器件。它结合功率MOSFET的工艺技术，将功率MOSFET和功率管GTR集成在同一个芯片中。该器件具有开关频率高、输入阻抗较大、热稳定性好、驱动电路简单、低饱和电压及大电流等特性，被作为功率器件广泛应用于工业控制、电力电子系统等领域（例如：伺服电机的调速、变频电源）。为使我们设计的系统能够更安全、更可靠的工作，对IGBT的保护显得尤为重要。 　　目前，在使用和设计IGBT的过程中，基本上都是采用粗放式的设计模式--所需余量较大，系统庞大

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：264192
    • 提供者：weixin_38499349

  1. IGBT的工作特性与IGBT的检测

  2. IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：156672
    • 提供者：weixin_38597970

  1. IGBT的结构与各种保护设计方法详解

  2. 绝缘栅双极晶体管（Insulated-gate Bipolar Transistor—IGBT或IGT）　　GTR和MOSFET复合，结合二者的优点，具有好的特性。80年代中期问世以来，逐步取代了GTR和一部分MOSFET的市场，中小功率电力电子设备的主导器件。　　　　IGBT的结构　　IGBT相当于一个由MOSFET驱动的厚基区GTR。从图中我们还可以看到在集电极和发射极之间存在着一个寄生晶闸管，寄生晶闸管有擎住作用。采用空穴旁路结构并使发射区宽度微细化后可基本上克服寄生晶闸管的擎住作用。IG

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：128000
    • 提供者：weixin_38616139