mos管是金属（metal）—氧化物（oxid）—半导体（semiconductor）场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体（insulator）—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。 　　功率MOS管的导通电阻具有正温度系数，能够自动均流，因此可以并联工作。从MOSFET数据表的传输特性可以看到，25℃和175℃的VGS电压与ID电流值有一

介绍了功率MOS管导通电阻的正温度系数和负温度系数的双重特性以及相对应的VGS的转折电压，负载开关电路通过延长米勒平台的时间来限制输入浪涌电流的工作特点。分析了由于米勒平台工作于负温度系数区域，产生的开关损耗导致局部热不平衡从而形成局部热点的原因。实验结果表明，减小输出电容、提高功率MOS管的散热能力，可以提高系统的可靠性。