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  1. 用单片机控制直流电机毕业设计论文

  2. 用单片机控制直流电机 摘要 本设计以AT89C51单片机为核心，以4*4矩阵键盘做为输入达到控制直流电机的启停、速度和方向，完成了基本要求和发挥部分的要求。在设计中，采用了PWM技术对电机进行控制，通过对占空比的计算达到精确调速的目的。 一、 设计方案比较与分析： 1、电机调速控制模块： 方案一：采用电阻网络或数字电位器调整电动机的分压，从而达到调速的目的。但是电阻网络只能实现有级调速，而数字电阻的元器件价格比较昂贵。更主要的问题在于一般电动机的电阻很小，但电流很大；分压不仅会降低效率，而且实

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2010-06-18
    • 文件大小：380928
    • 提供者：xuejixing1314

  1. 流水灯程序

  2. 多模式跑马灯 功能介绍 1、16位发光二极管，（可选红绿黄混合搭配） 2、九种模式选择，通过按键切换 3、数码管显示当前模式序号 4、三个按键操作：模式切换、加速、减速 附送资料 1、完整程序（C语言版） 2、完整原理图

  3. 所属分类：C

    • 发布日期：2011-07-07
    • 文件大小：157696
    • 提供者：firefox17347148

  1. qt下通过单片机控制电机

  2. qt下编写界面，通过串口通讯协议控制电机，使电机进行前进，后退，加速，距离，等等设置。 其中并有将电机上光电二极管收到的信息化成波形，并求出波峰面积，等等！ 绝对好资料

  3. 所属分类：QT

  1. 蓝牙接口的2路直流电机驱动

  2. 功能及说明 一、基本功能 1、两路直流电机驱动，可调速和正反转控制。 2、两路正交编码器接口，可用于电机速度反馈。 3、1路USB转串口，用于电路的参数设定。 4、6轴运动处理器件MPU6050，可用于平衡小车的开发。 5、蓝牙4.0接口模块，可通过手机上的app(TTC-BLE)对电机进行加速、减速、正反转控制。 6、DC12V供电。 7、1个USB指示灯、1个蓝牙模块指示灯、2个用户指示灯(用户程序控制)。 8、1个轻触开关，供用户程序使用。 二、各部分电路说明 1、供电接口： 本模块采用

  3. 所属分类：嵌入式

    • 发布日期：2018-08-01
    • 文件大小：14680064
    • 提供者：gucheng14

  1. 3DIC堆叠技术.pdf

  2. T 前言 个人电脑、手机、音乐播放器、游戏系统、相机和flash媒体等消费需求强劲，推动了电子系统市场的爆炸性增长。 这些电子系统的设计和制造是通过将单个集成电路组装成便携的形式因子。 根据摩尔定律，用于制造晶圆形式集成电路的底层半导体技术的突飞猛进，推动了电子系统能力的快速进步。 这本书描述了一种新的基于晶片的技术，它正在蚕食传统的基于二极管的集成电路封装和装配技术，使下一代电子系统。 今天，各种技术竞相为集成电路(IC)产品提供集成各种电子功能的解决方案。 片上系统(SoC)是将一个电子系

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-07-23
    • 文件大小：13631488
    • 提供者：weixin_39840387

  1. 万用表使用及其用万用表测量电容的好坏.doc

  2. 万用表应用技巧 一、指针表和数字表的选用： 1、指针表读取精度较差，但指针摆动的过程比较直观，其摆动速度幅度有时也能比较客观地反映了被测量的大小（比如测电视机数据总线（SDL）在传送数据时的轻微抖动）；数字表读数直观，但数字变化的过程看起来很杂乱，不太容易观看。 2、指针表内一般有两块电池，一块低电压的1.5V，一块是高电压的9V或15V，其黑表笔相对红表笔来说是正端。数字表则常用一块6V或9V的电池。在电阻档，指针表的表笔输出电流相对数字表来说要大很多，用R×1Ω档可以使扬声器发出响亮的“哒

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-15
    • 文件大小：30720
    • 提供者：weixin_38743506

  1. 矿用本安型传感器浪涌仿真及整改思路

  2. 以煤矿本安型传感器为试验对象,利用ADS仿真软件对浪涌抗扰度试验进行模拟;针对试验中施加正向浪涌干扰,传感器端电压出现反向缺口复位重启的现象,通过变量扫描仿真分析探讨了模型中各参数对反向缺口的影响。仿真结果表明:传感器的4种等效模型不影响仿真波形,但TVS会加速缺口的产生,作为辅助设备参与试验的供电电源内阻会对端电压波形产生较大影响,而置于TVS前端的电感和二极管都对反向电压缺口有改善作用。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-05-17
    • 文件大小：276480
    • 提供者：weixin_38643127

  1. 目前高压变频器的特性论述论文.pdf

  2. 目前高压变频器的特性论述论文pdf,目前高压变频器的特性论述论文在不同的历史时期,就有不同的技术与技术产品出现 类:专用高压变频器 驱动对象:高压交流异步电动机 负载通用类:风机、水泵专用(要求不高的平方转矩和不快态动控制负载类) ()高低高方式;采用降压变压器低压变频器特殊升压变压器电机; ()脉冲变压器→整流 三电平两电位重叠间接高压方式; ()曲拆多脉冲变压器→整流 单元串联多电位重叠间接高压方式 注:间接一指在变频器变流环节中,存在利用了变压器来进行电压变换的过程。 类:通用高压变频器

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-10-15
    • 文件大小：533504
    • 提供者：weixin_38743602

  1. 整流二极管的检查方法

  2. 整流二极管的损坏原因 （1）防雷、过电压保护措施不力。整流装置未设置防雷、过电压保护装置，即使设置了防雷、过电压保护装置，但其工作不可靠，因雷击或过电压而损坏整流管。 （2）运行条件恶劣。间接传动的发电机组，因转速之比的计算不正确或两皮带盘直径之比不符合转速之比的要求，使发电机长期处于高转速下运行，而整流管也就长期处于较高的电压下工作，促使整流管加速老化，并被过早地击穿损坏。 （3）运行管理欠佳。值班运行人员工作不负责任，对外界负荷的变化（特别是在深夜零点至第二天上午6点之间）不了解，或是

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-12
    • 文件大小：99328
    • 提供者：weixin_38690017

  1. 齐纳二极管的工作原理

  2. 齐纳二极管的工作原理 在通常情况下，反向偏置的PN结中只有一个很小的电流。这个漏电流一直保持一个常数，直到反向电压超过某个特定的值，超过这个值之后PN结突然开始有大电流导通（图1.15）。这个突然的意义重大的反向导通就是反向击穿，如果没有一些外在的措施来限制电流的话，它可能导致器件的损坏。反向击穿通常设置了固态器件的最大工作电压。然而，如果采取适当的预防措施来限制电流的话，反向击穿的结能作为一个非常稳定的参考电压。 图1.15 PN结二极管的反向击穿。 导致反向击穿的一个机制是avala

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-12
    • 文件大小：209920
    • 提供者：weixin_38684743

  1. 正确操作加速RF器件测试的方法

  2. 对所有的电子元件的制造商而言，测试速度都是很重要的，而对于低价格的二、三引脚元件如二、三极管来说却更是至关重要。在RF测试能够进行之前，必须测试这些器件的直流工作状态。对于二极管来说，包括正向压降、反响击穿电压和结漏电流。对于三极管，这包括不同的结击穿电压、结漏电流、集电极或漏极特性等。选择正确的测试仪器并通过适当的设定，能够极大地加速这些测试过程。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-28
    • 文件大小：83968
    • 提供者：weixin_38700779

  1. 元器件应用中的MOSET中加速二极管的效果

  2. 功率MOSFET与场效应晶体管相比，可以说速度较快，其原因是由于用于ON的时间。tf及下降时间较快。一般的是努力加快上升时间ton及下降时间幻，但实际上辐更重要。 　　MOSFET是双极型的没有载流子积蓄时间，因此可以高速，但它用于OFF的时间。存在，这个是低速的。 　　功率MOSFET的开关特性根据门驱动电路、条件变化很大，所以要进行高速的开关动作，需要很多的知识。 　　图1是将高耐压的功率MOSFET 2SK894(500V、8A)，采用和前面的晶体管相同条件地进行开关时的电路。门极电

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-17
    • 文件大小：202752
    • 提供者：weixin_38569219

  1. RFID技术中的- 选择正确的仪器和恰当的设置加速RF器件测试的方法

  2. 选择正确的仪器和恰当的设置加速RF器件测试的方法 来源：测控网/吉时利(Keithley)仪器公司 Mary Anne Tupta2006-08-29        对所有的电子元件的制造商而言，测试速度都是很重要的，而对于低价格的二、三引脚元件如二、三极管来说却更是至关重要。在RF测试能够进行之前，必须测试这些器件的直流工作状态。对于二极管来说，包括正向压降、反响击穿电压和结漏电流。对于三极管，这包括不同的结击穿电压、结漏电流、集电极或漏极特性等。选择正确的测试仪器并通过适当的设定，能够

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-13
    • 文件大小：90112
    • 提供者：weixin_38665822

  1. RFID技术中的选择正确的仪器和恰当的设置加速RF器件测试的方法

  2. 选择正确的仪器和恰当的设置加速RF器件测试的方法 http:www.guangdongdz.com  2006-6-23   对所有电子元件的生产而言测试速度都是非常重要的，在RF测试能够进行之前，必须测试这些器件的直流工作状态。对于二极管来说，这包括正向压降、反响击穿电压和结漏电流，而对于三极管，还包括不同的结击穿电压、结漏电流、集电极或漏极特性等。本文探讨了通过选择正确的测试仪器以及适当地设定来加速这些测试的方法。 对所有的电子元件的制造商而言，测试速度都是很重要的，而对于

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-13
    • 文件大小：91136
    • 提供者：weixin_38706100

  1. 1300 nm超辐射发光二极管寿命测试

  2. 作为光纤陀螺用光源的超辐射发光二极管(SLD)随着工作时间的延续,其性能会发生退化。采用加速老化的实验方法来估算InGaAsP SLD管芯的工作寿命。分别在环境温度373 K和358 K下对5只SLD管芯进行加速老化,并通过对P-t曲线拟合来推算和估计管芯的老化速率和激活能。计算出了器件的激活能平均值约为0.82 eV,SLD管芯在室温下的工作寿命超过106 h,可以满足光纤陀螺用光源的寿命要求。对影响SLD管芯可靠性的因素以及管芯的退化机理进行了分析,为研制高可靠性的超辐射发光二极管提供了理论

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-10
    • 文件大小：634880
    • 提供者：weixin_38691970

  1. AlGaInP发光二极管老化性能研究

  2. 采用金属有机化学气相沉积系统外延AlGaInP发光二极管, 制备成面积小于12 mil×12 mil(300 μm×300 μm, 1 mil=25.4 μm)的芯片, 封装成裸晶结构并在50 mA、50 ℃加速应力环境下进行1008 h老化寿命实验, 研究外延结构中不同掺杂浓度的分布式布拉格反射镜(DBR)及分段掺杂P型层对小尺寸芯片老化性能的影响。结果表明：随着芯片尺寸缩小, 光衰幅度变大, 当芯片尺寸小于9 mil×9 mil(225 μm×225 μm)时, 通过提升DBR的掺杂浓度可以

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-07
    • 文件大小：6291456
    • 提供者：weixin_38663608

  1. 高功率高可靠性9XX nm激光二极管

  2. 为了提高半导体激光二极管的输出功率和可靠性,通过在有源区两侧势垒层和波导层之间引入高禁带宽度的GaAsP,抑制有源区载流子的泄漏,极大地改善了器件的性能。研究结果表明:在10~40 ℃温度范围内器件特征温度从原来的150 K提高至197.37 K(-75.76 ℃),峰值波长随温度的漂移系数为0.207 nm/℃;条宽200 μm、腔长2000 μm的9XX nm激光二极管可靠性工作的最大输出功率高达14.4 W;器件在注入电流为7 A时取得71.8%的最大电光转换效率,斜率效率为1.21 W/

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-26
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：weixin_38743481

  1. 集成自举二极管和600V三相栅极驱动器加速三相电机应用

  2. 三相电机运行需要三相逆变器，其一般组成为：6个功率晶体管（MOSFETs或IGBTs）、控制晶体管的栅极驱动器（一个或多个）、实现控制算法（速度、转矩控制等）的控制逻辑电路（微控制器或微处理器）。　　栅极驱动器为数字控制和功率执行器之间的模拟桥梁，其必须可靠、抗噪声和扰动鲁棒、（保证控制算法和脉宽调制有效），且为保证安全运行，其在非常规条件下或在系统某一部分失效期间需具备保护和安全功能。　　引言　　STMicroelectronics STDRIVE601为一款针对N沟道功率MOSFET和IGB

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：269312
    • 提供者：weixin_38502510

  1. 整流二极管损坏的原因有哪些

  2. （1）防雷、过电压保护措施不力。整流装置未设置防雷、过电压保护装置，即使设置了防雷、过电压保护装置，但其工作不可靠，因雷击或过电压而损坏整流管。 　　（2）运行条件恶劣。间接传动的发电机组，因转速之比的计算不正确或两皮带盘直径之比不符合转速之比的要求，使发电机长期处于高转速下运行，而整流管也就长期处于较高的电压下工作，促使整流管加速老化，并被过早地击穿损坏。 　　（3）运行管理欠佳。值班运行人员工作不负责任，对外界负荷的变化（特别是在深夜零点至第二天上午6点之间）不了解，或是当外界发生了甩负

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：78848
    • 提供者：weixin_38546459

  1. ST - 集成自举二极管和快速过流保护的600V三相栅极驱动器加速了三相电机应用

  2. 三相电机运行需要三相逆变器，其一般组成为：6个功率晶体管（MOSFETs或IGBTs）、控制晶体管的栅极驱动器（一个或多个）、实现控制算法（速度、转矩控制等）的控制逻辑电路（微控制器或微处理器）。　　栅极驱动器为数字控制和功率执行器之间的模拟桥梁，其必须可靠、抗噪声和扰动鲁棒、（保证控制算法和脉宽调制有效），且为保证安全运行，其在非常规条件下或在系统某一部分失效期间需具备保护和安全功能。　　引言　　STMicroelectronics STDRIVE601为一款针对N沟道功率MOSFET和IGB

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：769024
    • 提供者：weixin_38508549
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