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  1. PNP 型半导体三极管工作原理

  2. PNP 型半导体三极管和NPN 型半导体三极管的基本工作原理完全一样，下面以NPN 型半导体三极管为例来说明其内部的电流传输过程，进而介绍它的工作原理。半导体三极管常用的连接电路如图15-3 (a) 所示。半导体三极管内部的电流传输过程如图15-3 (b) 所示。半导体三极管中的电流传输可分为三个阶段。

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2010-11-18
    • 文件大小：53248
    • 提供者：wxf001688

  1. 半导体原理，二极管，三极管等工作原理

  2. 半导体工作原理，介绍关于半导体的一系列知识。有助于你从根本上理解放大电路的基本原理。

  3. 所属分类：专业指导

  1. 半导体三极管放大电路的工作点

  2. 为了对放大电路的工作有一个较全面的认识.不仅应对三极管的工作原理和输入、输出特性要有所了解.还应该学会用图解法分析放大电路的工作点。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-17
    • 文件大小：59392
    • 提供者：weixin_38625599

  1. 三极管工作原理及主要参数详解

  2. 三极管（全称：半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管），是一种控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。介绍三极管的工作原理以及主要参数。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-16
    • 文件大小：238592
    • 提供者：weixin_38639747

  1. IGBT的工作原理及检测方法

  2. IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)又称绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 其输入极为MOSFET,输出极为PNP晶体管,因此,可以把其看作是MOS输入的达林顿管。它融合了MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点，具备易于驱动、峰值电流容量大、自关断、开关频率高 (10-40 kHz) 等特点，已逐步取代晶闸管和GTO（门极可关断晶闸管），是目前发展最为迅速

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-14
    • 文件大小：105472
    • 提供者：weixin_38664989

  1. NPN型三极管的工作原理是什么？

  2. NPN型三极管，由三块半导体构成，其中两块N型和一块P型半导体组成，P型半导体在中间，两块N型半导体在两侧。三极管是电子电路中最重要的器件，它最主要的功能是电流放大和开关作用。 NPN型三极管的工作原理是什么？ 首先就说说三极管，实际上只要你了解了三极管的特性对你使用单片机就顺手很多了。大家其实也都知道三极管具有放大作用，但如何去真正理解它却是你以后会不会使用大部分电子电路和IC的关键。  我们一般所说的普通三极管是具有电流放大作用的器件。其它的三极管也都是在这个原理基础上功能延伸。三极管

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-13
    • 文件大小：284672
    • 提供者：weixin_38748239

  1. PNP三极管工作原理详解

  2. 管这类商品是我们日常生活中比较常见的一种商品，虽然用的不多，但是它的作用是很大的。对于一些没接触过它的人来说不知道pnp三极管的作用是什么，以及它的工作原理是怎么的，接下来小编就给大家介绍一下关于pnp三极管工作原理及它的一些基本知识。 一、pnp三极管的结构造型 晶体三极管是半导体的基本器材之一，主要作用是电流放大的作用，主要是电子电路的核心元件，它的功能就是电流放大和开关的作用；主要结构是半导体的基本片上制作两个相近的PN结，然后再将正块半导体分成三部分组成。 二、pnp三极管的工

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-13
    • 文件大小：167936
    • 提供者：weixin_38552083

  1. 半导体三极管的工作原理

  2. 介绍半导体的工作原理，半导体的结构，半导体的工作原理，以级半导体三极管的判别方法

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2011-05-20
    • 文件大小：48128
    • 提供者：ly19850614

  1. 基础电子中的IGBT的工作原理及检测方法

  2. IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)又称绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 其输入极为MOSFET,输出极为PNP晶体管,因此,可以把其看作是MOS输入的达林顿管。它融合了MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点，具备易于驱动、峰值电流容量大、自关断、开关频率高 (10-40 kHz) 等特点，已逐步取代晶闸管和GTO（门极可关断晶闸管），是目前发展最为迅速

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-16
    • 文件大小：117760
    • 提供者：weixin_38723105

  1. 元器件应用中的通俗易懂的三极管工作原理

  2. 1、晶体三极管简介。晶体三极管是p型和n型半导体的有机结合，两个pn结之间的相互影响，使pn结的功能发生了质的飞跃，具有电流放大作用。晶体三极管按结构粗分有npn型和pnp型两种类型。如图2-17所示。（用Q、VT、PQ表示）三极管之所以具有电流放大作用，首先，制造工艺上的两个特点：(1)基区的宽度做的非常薄；(2)发射区掺杂浓度高，即发射区与集电区相比具有杂质浓度高出数百倍。 　　2、晶体三极管的工作原理。 　　其次，三极管工作必要条件是(a)在B极和E极之间施加正向电压(此电压的大小不能

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-15
    • 文件大小：192512
    • 提供者：weixin_38637983

  1. 传感技术中的光电传感器的工作原理

  2. 光电传感器是通过把光强度的变化转换成电信号的变化来实现控制的。 　　光电传感器在一般情况下，有三部分构成，它们分为：发送器、接收器和检测电路。 　　发 送器对准目标发射光束，发射的光束一般来源于半导体光源，发光二极管（LED）、激光二极管及红外发射二极管。光束不间断地发射，或者改变脉冲宽度。接收 器有光电二极管、光电三极管、光电池组成。在接收器的前面，装有光学元件如透镜和光圈等。在其后面是检测电路，它能滤出有效信号和应用该信号。 　　此外，光电开关的结构元件中还有发射板和光导纤维。 　　

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-20
    • 文件大小：44032
    • 提供者：weixin_38547882

  1. 解析增强型MOS场效应管的工作方式

  2. MOS管是一种半导体场效应管，在大多数情况下，MOS管中的两个区是能相互替换的，并不会影响器件的性能。MOS管分为耗尽型和增强型两种。本篇文章将为大家介绍的是一种增强型MOS管的工作原理。     增强型MOS场效应管的内部结构图如图1所示。它可分为 NPN型和PNP型。NPN型通常称为N沟道型，PNP型通常称P沟道型。由图1可看出，对于N沟道型的场效应管其源极和漏极接在N型半导体上，同样对于P 沟道的场效应管其源极和漏极则接在P型半导体上。我们知道一般三极管是由输入的电流控制输出的电流。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-19
    • 文件大小：52224
    • 提供者：weixin_38748740

  1. 元器件应用中的二极管工作原理

  2. 那是1947年的一个冬天，贝尔实验室的三位科学家发明了三极管，改变了世界，推动了全球的半导体电子工业。于是10年后又一个冬天，哥仨一起获得了诺贝尔物理学奖。然而这三极管可不是被凭空发明出来的，从结构上看，她是由两个二极管组成，绝逼二极管“干儿子”。今天电子产品世界小编为您带来 “干爹”二极管的传奇故事。     1 二极管=PN结+马甲儿     在半导体性能被发现后，二极管成为了世界上第一种半导体器件，目前最常见的结构是，在PN结上加上引线和封装，就成为一个二极管，甚至可以说二极管实际上就

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-19
    • 文件大小：279552
    • 提供者：weixin_38592332

  1. 基础电子中的张飞实战电子：三极管的工作原理--解释深刻

  2. 一、概念理解　　1、N型半导体：又称为电子型半导体。在纯净的硅晶体中通过特殊工艺掺入少量的五价元素（如磷、砷、锑等）而形成，其内部自由电子浓度远大于空穴浓度。所以，N半导体内部形成带负电的多数载流子——自由电子，而少数载流子是空穴。N型半导体主要靠自由电子导电。由于自由电子主要由所掺入的杂质提供，所以掺入的五价杂质越多，自由电子的浓度就越高，导电性能就越强。而空穴由热激发形成，环境温度越高，热激发越剧烈。　　2、P型半导体：又称为空穴型半导体。在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼）而形成，其内部空

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-19
    • 文件大小：103424
    • 提供者：weixin_38656463

  1. 元器件应用中的半导体三极管放大电路静态工作情况

  2. 为了对放大电路的工作有一个较全面的认识，不仅应对三极管的工作原理和输入、输出特性要有所了解，还应该学会用图解法分析放大电路的工作点。 　　图解法就是用作图的方法，在三极管的特性曲线上确定放大电路的工作点。这里的工作点是指放大电路中的电流和电压值在管子的特性曲线上所对应的点。三极管放大电路的分析方法除图解法外，还有等效电路分析法。由于图解分析法比较直观，可以给人以清楚的物理概念，所以它是分析电子电路的一种重要方法，也是常用的方法。 　　(1)确定放大电路的静态工作点Q 　　根据放大电路的输入

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-22
    • 文件大小：76800
    • 提供者：weixin_38660731

  1. 解析增强型MOS场效应管的工作方式

  2. MOS管是一种半导体场效应管，在大多数情况下，MOS管中的两个区是能相互替换的，并不会影响器件的性能。MOS管分为耗尽型和增强型两种。本篇文章将为大家介绍的是一种增强型MOS管的工作原理。     增强型MOS场效应管的内部结构图如图1所示。它可分为 NPN型和PNP型。NPN型通常称为N沟道型，PNP型通常称P沟道型。由图1可看出，对于N沟道型的场效应管其源极和漏极接在N型半导体上，同样对于P 沟道的场效应管其源极和漏极则接在P型半导体上。我们知道一般三极管是由输入的电流控制输出的电流。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：60416
    • 提供者：weixin_38686658

  1. 张飞实战电子：三极管的工作原理--解释深刻

  2. 一、概念理解　　1、N型半导体：又称为电子型半导体。在纯净的硅晶体中通过特殊工艺掺入少量的五价元素（如磷、砷、锑等）而形成，其内部自由电子浓度远大于空穴浓度。所以，N半导体内部形成带负电的多数载流子——自由电子，而少数载流子是空穴。N型半导体主要靠自由电子导电。由于自由电子主要由所掺入的杂质提供，所以掺入的五价杂质越多，自由电子的浓度就越高，导电性能就越强。而空穴由热激发形成，环境温度越高，热激发越剧烈。　　2、P型半导体：又称为空穴型半导体。在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼）而形成，其内部空

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：160768
    • 提供者：weixin_38748769

  1. IGBT的工作原理及检测方法

  2. IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)又称绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 其输入极为MOSFET,输出极为PNP晶体管,因此,可以把其看作是MOS输入的达林顿管。它融合了MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点，具备易于驱动、峰值电流容量大、自关断、开关频率高 (10-40 kHz) 等特点，已逐步取代晶闸管和GTO（门极可关断晶闸管），是目前发展为迅速的

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：140288
    • 提供者：weixin_38697753

  1. 通俗易懂的三极管工作原理

  2. 1、晶体三极管简介。晶体三极管是p型和n型半导体的有机结合，两个pn结之间的相互影响，使pn结的功能发生了质的飞跃，具有电流放大作用。晶体三极管按结构粗分有npn型和pnp型两种类型。如图2-17所示。（用Q、VT、PQ表示）三极管之所以具有电流放大作用，首先，制造工艺上的两个特点：(1)基区的宽度做的非常薄；(2)发射区掺杂浓度高，即发射区与集电区相比具有杂质浓度高出数百倍。 　　2、晶体三极管的工作原理。 　　其次，三极管工作必要条件是(a)在B极和E极之间施加正向电压(此电压的大小不能

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：161792
    • 提供者：weixin_38679233

  1. IGBT场效应管的工作原理及检测方法

  2. IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)又称绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 其输入极为MOSFET,输出极为PNP晶体管,因此,可以把其看作是MOS输入的达林顿管。它融合了MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点，具备易于驱动、峰值电流容量大、自关断、开关频率高 (10-40 kHz) 等特点，已逐步取代晶闸管和GTO（门极可关断晶闸管），是目前发展为迅速的

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：122880
    • 提供者：weixin_38688820
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