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  1. 多量子阱半导体环形激光器研究

  2. 随着集成光路和全光网络技术的发展，基于环形光谐振器结构的半导体环形激光器日益受到人们的关注，成为近年来集成光学领域的研究热点之一。设计制备了一种双直波导耦合输出半导体环形激光器,并进行了相应测试。该器件环形谐振腔波导宽度3.4 μm，环形腔半径349 μm，直波导与环形腔耦合间距1.0 μm，其阈值电流为36 mA，自由光谱范围(FSR)为0.33 nm，61 mA下激射光谱的中心波长为1566.66 nm，用光纤对准直波导口，测得直波导耦合光功率输出达到40 μW。通过该器件的光功率电流特性曲

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-26
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38693476

  1. 晶体与玻璃光激射器工作物质的制备（第1部分)

  2. 目前已经发表了四十余种固态光激射器(半导体和有机物貭除外）。在理论上预言过渡元素或希土元素掺杂的、最理想的晶体结构，实现激射振荡是非常困难的。伹是，除若干物理性质的要求外，尙有一些晶体——化学方面的考虑，它可用来选择各种介貭。其中一些在这里作了讨论。关于制备现有的晶体和玻璃光激射器工作物貭的方法也作了评述。与此有关的问题，指出了新工作物貭所期待的结果。新的晶体光激射器系统的探索或许集中于高熔点化合物上，这是由于它们具有比较好的物理性能(如强度、抗热冲击）。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-25
    • 文件大小：3145728
    • 提供者：weixin_38605144

  1. 大功率半导体激光器热弛豫时间的测量

  2. 根据脉冲工作状态下半导体激光器激射光谱随结温升高而发生红移的原理,提出了一种测试半导体激光器热弛豫时间的新方法——利用调节取样积分器(Boxcar)取样门,测量光信号脉冲内不同时刻的时间分辨光谱。采用此方法对TO封装和厘米-靶条(cm-Bar)阵列的AlGaAs/GaAs半导体激光器的动态热特性进行了测试,得到其热弛豫时间分别为66 μs和96 μs。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-11
    • 文件大小：602112
    • 提供者：weixin_38663443

  1. Ⅲ-Ⅴ族半导体光激射器

  2. 发展得最完整的Ⅲ-Ⅴ族半导体光激射器为GaAs p-n結二极管，其运转波长，于室温时为9000埃，77 °K时为8400埃，于4.2时能连续运转。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-08
    • 文件大小：542720
    • 提供者：weixin_38683488

  1. 晶体与玻璃光激射器工作物质的制备(第2部分)

  2. 目前已经发表了四十余种固态光激射器(半导体和有机物貭除外）。在理论上预言过渡元素或希土元素掺杂的、最理想的晶体结构，实现激射振荡是非常困难的。伹是，除若干物理性质的要求外，尙有一些晶体——化学方面的考虑，它可用来选择各种介貭。其中一些在这里作了讨论。关于制备现有的晶体和玻璃光激射器工作物貭的方法也作了评述。与此有关的问题，指出了新工作物貭所期待的结果。新的晶体光激射器系统的探索或许集中于高熔点化合物上，这是由于它们具有比较好的物理性能(如强度、抗热冲击）。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-08
    • 文件大小：4194304
    • 提供者：weixin_38680393

  1. 半导体光激射器

  2. 光激射器(laser)和微波激射器(maser )这两个术语, 是可互换地用来描述产生微波、红外到可见光范围内相干电磁辐射的新型量子电子器件。这些词是“光的受激辐射放大”(light amplification of Stimulated emission of radiation）和受激辐射的“分子放大”(molecularamplifkation)两短语的英文字首缩拼, 虽然按其用法现在最好用“光激射器”称呼红外和可见光范围的器件, 用“微波激射器”称呼微波和毫米波范围的器件, 但在本文中这

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-08
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：weixin_38590541

  1. 日本三菱电机株式会社制成半导体光激射器

  2. 三麦电机株式会社的研究所用砷化镓二极管制成半导体光激射器。该会社是在砷化镓的n型晶体上面扩散进去一些锋形成p型层, 试制出"扩散型p—n结二极管”。用这种二极管进行了实验。这种二极管的形状是长0.5毫米、寛0.2毫米、髙0.2毫米的长方体。两个相对的侧面平行度是0.1波长并进行了光学研磨到10秒以内。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-08
    • 文件大小：137216
    • 提供者：weixin_38744778

  1. 林肯实验室钮实InSb磁光激射器

  2. 麻萨诸塞州里莱克辛顿消息: 林肯实验室已经报道了高磁场下操作的锑化铟受激光发射作用。上星期五, 五位麻省理工学院的科学家在一个技术杂志上透露了这一新发展, 简便的证实了本报上周的报道。林肯实验室把InSb器件划入磁场平行于电流的磁光激射器, 这种器件把二极管红外辐射波长由以前报道过砷化铟的3.1微米延长到5.2微米。这种新型二极管光激射器的报道恰在第一个半导体光激射器出现后之一年。一年前, 通用电气公司、国际商业机械公司和林肯实验室几乎同时发出发现砷化镓二极管光激射器的消息。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-08
    • 文件大小：268288
    • 提供者：weixin_38693586

  1. 用新材料制成的二种光激射器

  2. 麻省理工学究林肯实验室周未发表一项消息，它是关于采用一种新材料发展了二种半导体光激射器，其中有一种可在地面通讯方面有效地应用。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-08
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38606656

  1. 日本的半导体光激射器研究概况

  2. 1962年美国通用电气公司、国际商业机械公司、麻省理工学院等实验室在GaAs二极管上通以正向电流而获得了激光。日本各单位随即展开了研究。63年东芝首先获得了GaAs的激光、测定了其谱线，发现谱线随杂质的种类与浓度而改变，8400埃谱钱的半宽度在0.2埃以下。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-08
    • 文件大小：461824
    • 提供者：weixin_38610815

  1. 用电子调制半导体光激射器

  2. 半导体光激射器的频率受其长度支配——象共振腔长所起的作用一样，也受其折射率的支配(它固定给定波长振荡的频率)。有一种可能性，就是以两个串连的半导体作成光学共振腔。一个半导体产生相干振荡，另一个则负责改变整个腔的共振频率，其法是以改变注入半导体中电子的可变电流产生的折射率来完成。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-08
    • 文件大小：463872
    • 提供者：weixin_38660813

  1. 光泵激发的半导体光激射器

  2. 由砷化镓二极管光激射器所得的辐射，作为强功率的光泵去激发n-型锑化铟，获得激光作用。锑化铟的发射显示了极限线分解变窄，并且对泵浦强度的阈值限制严格，只在较高泵浦强度时观察到多波型运转。以前曾经发表过在半导体中用p-n结注入式与电子轰击泵浦获得激光作用。本文指出半导体激光泵浦的第三种方法-光泵-也是可能的。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-08
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38555304

  1. 快速电子激发GaSe单晶的受激发射

  2. 为了阐明有可能制成快速电子束激发的光激射器，在AIII-BVI族半导体中选择了GaSe单晶，激发时GaSe单晶的发光尙未作过研究。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-08
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38752074

  1. 光激发下砷化镓的受激发射

  2. 在文献[1-4]中，提出了在半导体中巳经获得负温度状态，并且进行了理论硏究。在文献[5]中，观察并实验硏究了红宝石光激射器光激发下，GaAs晶体的复合发光。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-08
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38661650

  1. 激光的发展趋势与未来展望

  2. 1960年以来的五年是激光科学技术从建立、成长到蓬勃发展的五年。头二、三年偏重于产生激光工作物质的探索与普査，初步建立了具有实用意义的固体（包括晶体，玻璃，有机螯合物和液体材料）气体和半导体三类型工作物质和器件; 利用Q突变技术获得了大功率的激光输出; 揭露了新的物理现象——强相干光与物质相互作用的非线性效应，初步显示了激光的应用潜力，展望了可能的应用前景，为激光进一步的发展奠定了基础。近两年来，为提高光激射器的输出能量和输出功率，扩展激光的新波段并为发展激光在国防军事等方面的应用，在工作物质、

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-08
    • 文件大小：3145728
    • 提供者：weixin_38504687

  1. 日本三菱电机公司制成常温半导体镓砷光激射器

  2. 三菱电机公司中央研究所成功地制出在常温下工作的镓砷半导体光激射器。早先制成的该类光激射器必需在液氮温度下才能工作，在常温下获得激光振荡在世界上还是第一次。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-07
    • 文件大小：570368
    • 提供者：weixin_38744803

  1. 碰撞电离式半导体光激射器

  2. 过去，半导体在三种不同类型的激发下产生激光作用：用Ρ-n结，高压电子束或强源注入电子。1965年10月在华盛顿举办的装置会议上，国际商业机械公司的魏塞（K. Weiser)与伍兹(J. F. Woods)叙述了一种新型光激射器。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-07
    • 文件大小：606208
    • 提供者：weixin_38514872

  1. 以快速电子激发硫化镉半导体单晶的光激射器

  2. 苏联巴索夫等报导了利用快速电子激发硫化镉半导体单晶获得受激发射。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-05
    • 文件大小：398336
    • 提供者：weixin_38724535

  1. 日本制成半导体可见光激射器

  2. 三菱电机公司宣布：该公司的尼崎研究所在八月卅一日，用镓、砷、磷等制成的注入式光激射器，获得了可见光的受激振荡。利用这种注入式光激射器来产生可见的受激光，对日本来说是第一次，在美国试验成功的也仅有2、3个研究所。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-05
    • 文件大小：534528
    • 提供者：weixin_38661100

  1. 半导体电致发光和激光二极管的发展情祝

  2. 自1960年相继出现了固体、气体等光激射器后，在1962年又在半导体领域，出现了砷化镓电致发光和激光二极管。这种器件的结构是一小片(大约十分之几毫米到2毫米长，百分之几毫米到十分之几毫米宽和厚)一定质量的砷化镓单晶体，经过扩散等方法,将杂质(如锌）引入，形成Ρ-Ν结。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-05
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38520258
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