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  1. CMOS有源像素图像传感器的成像原理分析.pdf

  2. 今天，互补金属氧化物半导体（CMOS）图像传感器（CIS），又称有源像素传感器（APS），是最流行的成像技术，每年生产数十亿种图像传感器，它们占成像仪市场的90%左右，几年内应该超过95%。。与电荷耦合器件（CCD）的主要替代成像技术相比，CISS具有功耗低、集成度高、速度快和集成芯片（甚至像素内部）先进CMOS功能的能力等主要优点。由于最新的技术创新，CISS目前，在图像质量和灵敏度方面与CCD的性能相匹配，甚至在数字单透镜反射、科学仪器和机器视觉等高端应用中也处于领先地位。由于这些优点，C

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-07-23
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：weixin_39841856

  1. 半导体物理课件

  2. 半导体物理本章主要讨论半导体中电子的运动状态。 定性介绍能带理论，利用Schrodinger方程 和Kroning-Penney模型近似推导关于半导体 中电子的状态和能带特点。引入有效质量和 空穴的概念，阐述本征半导体的导电机构。 最后简单介绍几种半导体材料的能带结构。

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2012-09-21
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：xwl1990

  1. 显示/光电技术中的半导体材料的吸收损耗

  2. 半导体材料的吸收主要来源于带边吸收、带间吸收和自由载流子吸收。当光子能量大于禁带宽度时，价带中的电子就会被激发到导带。所以传输光的波长要大于光波导材料吸收边的波长，即导波的波长要大于1.1 gm。自由载流子吸收在半导体材料中很明显。自由载流子将会同时影响折射率的实部和虚部，用Drude方程描述吸收系数随载流子浓度的变化为 　　式中，e是电子电荷；c是真空中的光速；uc是电子迁移率；uh是空穴迁移率；mce是电子的有效质量；mch助是空穴的有效质量；Ne是自由电子的浓度；凡Nc自由空穴的浓度

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-13
    • 文件大小：37888
    • 提供者：weixin_38672807

  1. 半导体材料的电子和空穴质量

  2. Material Electron Mass Hole Mass ALAs 0.1 ALSb 0.12 mdos=0.98 GaN 0.19 mdos=0.60 GaAs 0.067 m1h=0.082,mhh=0.45 GaP 0.82 mdos=0.60 GaSb 0.042 mdos=0.40 Ge ml=1.64,mt=0.082 m1h=0.044,mhh=0.28 InP 0.073 mdos=0.64 InAs 0.027 mdos=0.4 InSb 0.13

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-10
    • 文件大小：16384
    • 提供者：weixin_38710198

  1. 半导体材料的吸收损耗

  2. 半导体材料的吸收主要于带边吸收、带间吸收和自由载流子吸收。当光子能量大于禁带宽度时，价带中的电子就会被激发到导带。所以传输光的波长要大于光波导材料吸收边的波长，即导波的波长要大于1.1 gm。自由载流子吸收在半导体材料中很明显。自由载流子将会同时影响折射率的实部和虚部，用Drude方程描述吸收系数随载流子浓度的变化为 　　式中，e是电子电荷；c是真空中的光速；uc是电子迁移率；uh是空穴迁移率；mce是电子的有效质量；mch助是空穴的有效质量；Ne是自由电子的浓度；凡Nc自由空穴的浓度；ε

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-19
    • 文件大小：35840
    • 提供者：weixin_38707356